[发明专利]离子布植系统及调谐离子布植设备与最终能量磁铁的方法

权利要求书

1.一种调谐离子布植设备的方法，包括：

实施一晶圆验收测试工艺条件至一测试样品；

计算一直流最终能量磁铁的一工艺条件；

计算上述直流最终能量磁铁的一真实能量，其中上述真实能量的取得，是借由通过取得自上述实施上述晶圆验收测试工艺条件至上述测试样品的工艺的数据，计算一实际施加磁场来取得；

查核一机台能量偏移，其中上述机台能量偏移的查核，是通过计算一标称能量与上述真实能量之间的差距为之；

基于查核过的上述机台能量偏移，调谐上述离子布植设备；以及

取得上述直流最终能量磁铁的一磁谱。

2.如权利要求1所述的调谐离子布植设备的方法，还包括：

取得上述直流最终能量磁铁的一校准曲线。

3.如权利要求2所述的调谐离子布植设备的方法，还包括：

执行伺服回路以调整上述直流最终能量磁铁的复数参数。

4.如权利要求1所述的调谐离子布植设备的方法，其中上述直流最终能量磁铁的上述工艺条件包括一施加磁场。

5.如权利要求1所述的调谐离子布植设备的方法，其中上述标称能量的取得，是通过计算一标称施加磁场为之。

6.如权利要求5所述的调谐离子布植设备的方法，其中上述标称施加磁场的计算，是基于一使用者所输入的参数为之。

7.一种调谐最终能量磁铁的方法，包括：

取得一直流最终能量磁铁的一校准曲线；

执行伺服回路以调整上述直流最终能量磁铁的复数参数；

实施一晶圆验收测试工艺条件至一测试样品；

计算上述直流最终能量磁铁的一工艺条件；

计算上述直流最终能量磁铁的一真实能量，其中上述真实能量的取得，是借由通过取得自上述实施上述晶圆验收测试工艺条件至上述测试样品的工艺的数据，计算一实际施加磁场来取得；

查核一机台能量偏移，其中上述机台能量偏移的查核，是通过计算一标称能量与上述真实能量之间的差距为之；

基于查核过的上述机台能量偏移，调谐上述直流最终能量磁铁；以及

取得上述直流最终能量磁铁的一峰值频谱。

8.如权利要求7所述的调谐最终能量磁铁的方法，其中上述直流最终能量磁铁的上述工艺条件包括一施加磁场。

9.如权利要求7所述的调谐最终能量磁铁的方法，其中上述标称能量的取得，是通过计算一标称施加磁场为之。

10.如权利要求9所述的调谐最终能量磁铁的方法，其中上述标称施加磁场的计算，是基于一使用者所输入的参数为之。

11.一种离子布植系统，包括：

一样品载台；

一离子枪；

一静电线性加速器；以及

一直流最终能量磁铁，通过下列操作调谐：

实施一晶圆验收测试工艺条件至上述样品载台上的一测试样品；

计算上述直流最终能量磁铁的一工艺条件；

计算上述直流最终能量磁铁的一真实能量，其中上述真实能量的取得，是借由通过取得自上述实施上述晶圆验收测试工艺条件至上述测试样品的工艺的数据，计算一实际施加磁场来取得；

查核上述直流最终能量磁铁的一机台能量偏移，其中上述机台能量偏移的查核，是通过计算一标称能量与上述真实能量之间的差距为之；

基于查核过的上述机台能量偏移，调谐上述直流最终能量磁铁；以及

取得上述直流最终能量磁铁的一峰值频谱。

12.如权利要求11所述的离子布植系统，还包括：

通过取得上述直流最终能量磁铁的一校准曲线，调谐上述直流最终能量磁铁。