[发明专利]一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法

说明书

本发明公开了一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，通过将少量有机小分子CBP掺杂进CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光层中，使得原本不太光滑，容易团聚的发光层的薄膜形貌得到很好的改善，从而得到更高效率，更高亮度的QLED器件。本发明能够精确的控制CBP掺杂比例，操作简单，重复性好所制作的QLED器件最高亮度达到13636cd/m²，相对没有掺杂CBP的CdSe/ZnS量子点QLED器件亮度提升了3倍多，最大EQE达到6.48%，相比没有掺杂CBP的CdSe/ZnS量子点QLED器件效率提升了4倍多，效果显著。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件制备工艺技术领域，尤其涉及一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法。

背景技术

在最近几十年，研究发现了一种新发光材料量子点（QDs），由于其优于有机发光二极管的优势而受到极大关注，包括发光光谱可调、发光效率高、高载流子迁移率、量子产率高等特征，良好的光稳定性和热稳定性，以及基于溶液的简易制造工艺。因此，具有简化的器件结构，短响应时间，低功耗，高对比度和宽视角的QLED被认为是下一代面板显示器和照明技术最有希望的候选者之一。自1994年CdSe QLED首次问世以来，各国研究者做出了巨大的努力来开发高性能QLED，并且已经实现了器件效率的显著提高，特别是对于具有核壳结构的CdSe/ZnS量子点。

然而，在旋涂过程中由于QD_S聚集引起的较差的成膜性严重降低了器件性能。通常来说，具有均匀光滑的QD_S发光层薄膜是实现高性能QLED的最重要因素。为了提高薄膜质量，我们选择一种有机小分子CBP作为CdSe/ZnS量子点的添加物，实现QLED器件性能大大提升。

发明内容

本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，是在CdSe/ZnS量子点中添加有机分子CBP获得高效发光二极管的制作方法，以实现高效率、高亮度的量子点发光器件。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，包括以下步骤：

（1）CBP有机分子溶液的制备：取一定量的CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)

粉末溶于甲苯中，形成浓度为25mg/mL 的无色透明溶液；

（2）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的制备：分别取一定量的步骤（1）制得的CBP有机分子溶液与CdSe/ZnS量子点溶液混合，形成不同质量比的红色混合溶液；

（3）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的薄膜制备：将步骤（2）制得的混合溶液移至手套箱中，旋涂不同质量比的溶液，之后放置于加热平台上退火，得到淡红色的薄膜。

步骤（1）中将CBP粉末溶于甲苯中，并放置在加热台上，60~80℃加热30~60min，让CBP完全溶解。

步骤（2）中所述的CdSe/ZnS量子点溶液的浓度为20mg/mL，其溶剂是甲苯。

步骤（2）中分别制备4种不同质量比的混合溶液，CBP:CdSe/ZnS的质量比分别为：0, 0.04,0.06,0.08。

步骤（3）中所述的退火的温度为100~120℃，退火时间为10~20min。

将上述制备的量子点混合薄膜在QLED器件中的应用的方法，具体如下：

（1）将ITO玻璃基片依次使用丙酮，乙醇超声20min后，用氮气吹干。