[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置

说明书

本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。本发明的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件被配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，将所述多个遮蔽板投影到所述原料收纳部中填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而得到的遮蔽率为0.5以上。

技术领域

本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。

本申请基于2018年8月8日在日本提出申请的专利申请2018-149281号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

碳化硅(SiC)与硅(Si)相比绝缘击穿电场大1个数量级、带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)具有热传导率比硅(Si)高3倍左右等特性。碳化硅(SiC)被期待应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。

半导体等器件使用在SiC晶片上形成了外延膜的SiC外延晶片。采用化学气相生长法(Chemical Vapor Deposition：CVD)在SiC晶片上设置的外延膜成为SiC半导体器件的活性区域。SiC晶片是对SiC锭进行加工而得到的。

SiC锭通过采用升华再晶体法等方法对籽晶进行晶体生长而得到。升华法中如果在原料与生长面之间产生温度差，则从原料升华出的原料气体向生长面高效地供给，促进晶体生长。但是，生长面与原料相对而受到来自原料的辐射。因此，难以在原料与生长面之间产生温度差。

专利文献1记载了在原料与生长面之间设置遮蔽构件。通过遮蔽构件抑制从原料向生长面的辐射，在原料与生长面之间产生温度差。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2000-264795号公报

发明内容

近年，大型(6英寸以上)的SiC晶片的需要不断提高。例如，如果要使用专利文献1所记载的遮蔽构件制作大型SiC锭，则需要使用直径大的遮蔽构件。但是，直径大的遮蔽构件会阻碍原料气体的流动。如果原料气体变得难以向生长面的中央部供给，则会阻碍均质的晶体生长。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种遮蔽构件和具备该遮蔽构件的单晶生长装置，能够抑制原料气体的流动被阻害的情况，产生原料面与生长面的温度差。

即，本发明为了解决上述课题，提供以下手段。

(1)第1方案的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件被配置在所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，将所述多个遮蔽板投影到在所述原料收纳部填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而形成的投影面的遮蔽率为0.5以上。

(2)上述方案的遮蔽构件中，可以是：所述多个遮蔽板的至少一个位于高度与其他遮蔽板的高度不同的位置。

(3)上述方案的遮蔽构件中，可以是：所述多个遮蔽板彼此连接。

(4)第2方案的单晶生长装置具备上述方案的遮蔽构件。