[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置

权利要求书

1.一种遮蔽构件，配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，

所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，

所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，

所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，

所述遮蔽构件被配置在所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，

所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，

所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，

将所述多个遮蔽板投影到在所述原料收纳部填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而形成的投影面的遮蔽率为0.5以上。

2.根据权利要求1所述的遮蔽构件，所述多个遮蔽板的至少一个位于高度与其他遮蔽板的高度不同的位置。

3.根据权利要求1所述的遮蔽构件，所述多个遮蔽板彼此连接。

4.一种单晶生长装置，具备权利要求1所述的遮蔽构件。

5.根据权利要求4所述的单晶生长装置，具备晶体生长用容器和加热部，

所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，

所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，

在所述原料收纳部与所述晶体设置部之间配置遮蔽构件，

在晶体设置部配置晶体，

所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶。

6.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件全部是圆形的。

7.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件全部是六边形的。

8.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件全部是扇形的。

9.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述投影面的遮蔽率为0.6以上。

10.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述投影面的遮蔽率为0.7以上。

11.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述投影面的遮蔽率为0.9以下。

12.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽板的投影面各自的面积为晶体生长用容器的内底面的面积的30％以下。

13.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽板的投影面各自的面积为晶体生长用容器的内底面的面积的20％以下。

14.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件以密排六方结构配置。

15.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件具有以下结构：俯视时以等间隔排列地在正六边形的各角和中心配置遮蔽板。

16.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件具有以下结构：俯视时以等间隔排列地在正三角形的各角配置遮蔽板。

17.根据权利要求1所述的遮蔽构件，

所述遮蔽构件以2段结构配置。