[发明专利]研磨垫

说明书

本公开提供一种研磨垫。本公开提供的研磨垫中，包括聚合物材料的微胶囊分散其中。本公开亦提供形成与采用研磨垫的方法。这些微胶囊设置为在修整工艺损伤研磨垫时破损打开，其释放聚合物材料。当聚合物材料接触紫外光，将部分固化以修复研磨垫的损伤。与标准研磨垫相较，此研磨垫具有较长的使用寿命与更稳定的移除速率。

技术领域

本公开实施例关于半导体制造工艺，更特别关于化学机械研磨所用的研磨垫组成。

背景技术

化学机械研磨为形成集成电路的一般实务。一般而言，化学机械研磨用于平坦化半导体晶片。化学机械研磨的优点在于，可使研磨晶片所用的物理力与化学力的效果结合。在晶片置于抛光垫上时，对晶片背面施加负载力以进行化学机械研磨。研磨垫置于晶片上。接着反向旋转研磨垫与晶片，并施加含有磨料及/或反应性化学剂的研磨液至研磨垫与晶片之间。化学机械研磨可有效达到晶片的全区平坦化。

发明内容

本公开一实施例提供的研磨垫，包括：聚合材料的基质；以及多个微胶囊分散于聚合物材料的基质中，且微胶囊的每一者包括：混合物，包括聚合物材料与光引发剂；以及壳，围绕混合物。

本公开一实施例提供的化学机械研磨系统，包括：研磨垫，具有研磨表面并包括：孔洞的聚合材料；以及多个微胶囊，在孔洞的聚合材料中，且微胶囊的每一者包括：聚合物材料；光引发剂，分散于聚合物材料中；以及壳，围绕聚合物材料；以及紫外光源。

本公开一实施例提供的方法，包括：以研磨垫研磨晶片，且研磨垫包括：孔洞材料；以及多个微胶囊在孔洞材料中，微胶囊的每一者包括聚合物材料与围绕聚合物材料的壳；释放至少微胶囊的聚合物材料至孔洞材料的表面上；以及将孔洞材料表面上的聚合物材料暴露至紫外光，以聚合孔洞材料表面上的聚合物材料。

附图说明

图1是一些实施例中，化学机械研磨设备的透视图。

图2A至2D是一些实施例中，含有本公开的研磨垫的化学机械研磨设备于多种使用阶段时的部分剖视图。

图3是一些实施例中，本公开的研磨垫所用的微胶囊的示意图。

图4是一些实施例中，本公开的多种研磨垫的剖视图。

图5A与5B是一些实施例中，化学机械研磨设备与紫外光源的透视图。

图6是一些实施例中，化学机械研磨设备与紫外光源的透视图。

图7是一些实施例中，化学机械研磨设备与紫外光源的透视图。

其中，附图标记说明如下：

D1、D2 方向

100 化学机械研磨系统

110 平板

120 研磨垫

122 第一粘着层

124 子垫

126 第二粘着层

128 膜厚

130 研磨头

135 研磨表面

140 研磨液分配器

142 研磨液

150 盘状物

160 晶片

170 顶垫

180 微胶囊

190 聚合物材料

195 释放的聚合物材料