[发明专利]真空阀监控系统以及方法

说明书

本公开提供一种用于清洁以及检视环框架的真空阀监控系统以及真空阀监控方法。在一些实施例中，真空阀包括至少一个密封O形环以及位在真空处理腔室的配合表面上的压力监控带，其中所述压力监控带配置以在所述真空处理腔室的配合表面以及所述真空阀上的所述至少一个密封O形环的表面之间进行压力分布对映，以决定所述真空阀的关闭条件。

技术领域

本公开实施例涉及一种真空阀监控系统以及方法。

背景技术

在半导体集成电路(integrated circuit，IC)业界中，有对更小的装置尺寸及更高的电路封装密度的持续需求。这种需求促使半导体业界发展新材料及复杂的工艺。举例来说，当要在晶圆上形成特征(例如晶体管的栅极/漏极/源极特征、水平内连线或垂直导孔等)时，晶圆通常会经过包括多个工艺站点的生产线。上述生产线通常使用不同的工艺工具以执行各种操作，例如清洁、微影、沉积介电层、干/湿蚀刻和沉积金属。

由粒子引起的“杀手缺陷”(killer defect)可能发生在沿着生产线的一或多个故障的工艺站点中的半导体表面上。在真空工艺站点中，因为颗粒不对准于真空腔室上的配合表面(例如泄漏、摩擦等)，所以颗粒可以从一或多个真空阀被引入真空处理腔室中。一般来说，是由人手动执行真空阀的检视以确定真空阀的关闭状态(例如对准和压力)。真空阀的这种手动检视的分辨率是差的。此外，这种“手动”检视通常会中断自动的生产线，而这也增加了晶圆污染的可能性。

因此，与手动检视相反，集成电路业界一直希望得到可以检测真空阀关闭条件的自动检视，其可提供对各种工艺特性(如工具及条件)的关键见解，而不会显着地干扰生产线或影响其生产量。虽然已有这种需求相当久，但没有合适的系统可满足这些需求。

发明内容

本公开一些实施例提供一种真空阀监控系统，包括：真空阀，包括至少密封O形环；以及压力监控带，位在真空处理腔室的配合表面上，其中压力监控带配置以在真空处理腔室的配合表面以及真空阀上的至少一个密封O形环之间进行压力分布对映，以决定真空阀的关闭条件。

本公开一些实施例提供一种真空阀监控方法，包括：关闭真空处理腔室上的真空阀，其中真空阀包括至少一个密封O形环；以及使用压力监控带决定真空阀的关闭条件，其中压力监控带配置在真空处理腔室上的配合表面，以在真空处理腔室上的配合表面以及至少一个密封O形环的表面之间进行压力分布对映。

本公开一些实施例提供一种真空阀监控系统，包括：真空阀，包括至少一个密封O形环；压力监控带，配置在真空处理腔室上的配合表面以及至少一个密封O形环的表面之间；数据获取单元，配置以分别从压力监控带的压力感测元件收集信号；数据处理单元，配置以分别处理来自压力感测元件的信号，以决定压力值；以及本地电脑，配置以基于压力值决定真空阀的关闭条件。

附图说明

以下将配合附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1示出根据本公开的一些实施例的真空处理系统的剖面图。

图2A示出根据本公开的一些实施例的用于监控真空阀的关闭状态的压力监控带的剖面图，其中真空阀的底表面上具有用于与真空处理腔室上的配合表面密封的O形环。

图2B示出根据本公开的一些实施例的用于监控真空阀的关闭状态的压力监控带的剖面图，其中真空阀的侧表面上具有用于与真空处理腔室上的配合表面密封的O形环。

图3示出根据本公开的一些实施例的用于监控真空处理系统中的真空阀的关闭状态的监控系统的剖面图。

图4示出根据本公开的一些实施例的在真空处理系统中使用压力监控感测带以监控真空处理腔室中的真空阀的关闭状态的方法的流程图。

附图标记说明：

100 真空处理系统