[发明专利]用于氧化铟层的蚀刻剂组合物

说明书

公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法，所述蚀刻剂组合物包括硝酸或亚硝酸、氯化合物、硝酸盐化合物和水。

本申请是于2016年2月4日提交的申请号为201610079267.3的名称为“用于氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，和使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法，更具体地说，涉及包括硝酸或亚硝酸、氯化合物、硝酸盐化合物和水的用于蚀刻氧化铟层蚀刻剂组合物，以及使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法。

背景技术

在平板显示器之中，液晶显示(LCD)装置由于它的分辨率高、图像清晰、耗电低和显示屏薄受到了注意。通常可用作驱动LCD装置的电子电路是薄膜晶体管(TFT)电路，特别是对显示屏的每个像素形成TFT。利用TFT作为开关元件的TFT-LCD包括设置在基质中的TFT基板、布置成面向所述基板的彩色滤光片基板和介于上述两个基板之间的液晶材料。制作TFT-LCD的方法包括制备TFT基板、形成彩色滤光片基板、液晶盒加工和模块加工。因此，为了实现准确和清晰的图像，所述TFT基板和所述彩色滤光片基板的制作被认为是非常重要的。

所述LCD装置包括传输扫描信号的栅极线或扫描信号线、传输图像信号的数据线或图像信号线、与所述栅极线和数据线连接的TFT、和与所述TFT连接的像素电极。

所述LCD装置如下制造：在基板上形成用于栅极线和数据线的金属层，蚀刻所述金属层，形成与TFT连接的像素电极，施加光刻胶，并形成图案。因而，与所述像素电极层连接或裸露的所述栅极线或源/漏极线在所述像素电极形成图案的过程中可能变形。

为了解决这个问题，用于像素电极的材料的种类必须不同于用于所述栅极或源/漏极的金属。具体而言，所述像素电极的材料包括具有光学透明度和高导电性的氧化铟层，例如a-ITO、IZO、IGZO或ITZO。

最近，所述氧化铟层被形成为具有更精细的图案并且更厚，以便实现具有高分辨率和快速响应速度的显示装置。

韩国专利申请公布No.10-2012-0093499公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，但是问题在于使用了环境有害的硫酸，况且，不能蚀刻厚氧化铟层。

[引用列表]

[专利文献]

专利文件：韩国专利申请公布No.10-2012-0093499

发明内容

因此，本发明的目的是提供用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，其可以蚀刻氧化铟层同时最小化对布置在所述氧化铟层之下的下部金属层的损害。

本发明的另一个目的是提供用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，其具有蚀刻厚氧化铟层的高能力，因此能够形成精细图案，并且其还可以降低所述氧化铟层的侧蚀距离，从而防止由于过蚀刻所述图案导致的线条损失。

为了实现上述目的，本发明提供了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，包括：基于其总重量，5至12wt％的硝酸或亚硝酸，0.01至5wt％的氯化合物，0.01至3wt％的硝酸盐化合物，和余量的水，使得所述蚀刻剂组合物的总重量是100wt％。

另外，本发明提供了蚀刻氧化铟层的方法，所述方法包括：(1)在基板上形成氧化铟层，(2)在所述氧化铟层上选择性地留下光敏材料，和(3)利用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻所述氧化铟层。