[发明专利]一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体

权利要求书

1.一种碳化硅籽晶的处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1、将硅源与含碳聚合物混合得到混合物，然后将混合物涂覆在碳化硅籽晶背面；相对于100重量份的含碳聚合物，所述硅源的含量为1-10重量份；所述混合物的粘度为40-1000cp；所述含碳聚合物为光刻胶，或者，所述含碳聚合物为环氧树脂和/或酚醛树脂；

S2、将涂覆有混合物的碳化硅籽晶进行加热反应，得到背面覆有保护层的籽晶，其中，保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述硅源为单质硅和/或氧化硅；所述单质硅或所述氧化硅的粒径为10-500nm。

3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述加热反应的温度为1500-1800℃，保温时间为1-5h。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将背面涂覆有所述混合物的籽晶置于高温真空炉中，先对真空炉抽真空直至压力在1Pa以下，以100-500℃/min的升温速率升至1500-1800℃，并保温1-5h。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述加热反应前还包括步骤S12：对涂覆有混合物的籽晶进行干燥处理；

所述干燥处理的温度为100-180℃，时间为30-180min。

6.权利要求1-5中任意一项所述的处理方法得到的碳化硅籽晶，其特征在于，所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。

7.根据权利要求6所述的碳化硅籽晶，其特征在于，以保护层质量百分数计，所述碳化硅颗粒含量为2-15%。

8.根据权利要求6所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述保护层的厚度为5-50μm。