[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201910672699.9 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110429116B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 陈诚;余赟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制造 方法 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。阵列基板包括层叠设置的衬底层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、有机填充层和第三金属层;显示区设计网状第二金属层,通过第一过孔与第三金属层的电源电压信号线电连接,形成显示区双层电源电压走线结构。阵列基板制作方法包括步骤:制作衬底层、制作有源层、制作第一绝缘层、制作第一金属层、制作第二绝缘层、制作第二金属层、制作层间绝缘层、制作第三金属层、制作平坦化层、制作阳极层、制作像素定义层、制作支撑层。通过显示区双层电源电压走线结构接通电源电压(VDD)可降低电阻压降,可提升屏幕亮度均一性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。
背景技术
由于有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点,应用范围越来越广泛,尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点,成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
目前可弯折的显示屏备受关注,但由于走线结构经多次弯折后出现拉伸断裂或裂纹,严重影响显示屏的使用寿命。同时高端终端设备对显示屏亮度均一性要求较高,但现有的有机发光二极管显示器件亮度均一性较差,一般通过新增一层源漏极层形成双层源漏极层的方式布局双层电源电压(ELVDD)走线降低电阻压降(IR drop),以提升屏幕亮度均一性。
因此,确有必要来开发一种新型的阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法,以解决现有的有机发光二极管显示器件亮度均一性较差,以及走线结构经多次弯折后出现拉伸断裂或裂纹的技术问题。
为了实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括层叠设置的衬底层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、有机填充层和第三金属层;所述阵列基板定义有显示区、弯折区以及位于两者之间的换线区,位于所述显示区的所述第二金属层包括用于连接扫描信号线的栅极层和环绕所述栅极层用于连接电源电压信号线的第二金属层走线;所述第二金属层走线通过第一过孔与所述第三金属层的电源电压信号线电连接,形成显示区双层电源电压走线结构。
进一步地,所述第二金属层走线相互交错呈菱形、弧形或方形。
进一步地,所述第二金属层走线相互连接,形成网状结构。
进一步地,所述第一金属层、所述第二金属层或所述第三金属层的电阻率大于12μΩ*cm。
进一步地,所述第一金属层、所述第二金属层或所述第三金属层的材质包含铝或铝合金。
进一步地,位于所述显示区的所述第三金属层的相邻数据信号线在延伸到所述换线区时,分别穿过第二过孔、第三过孔换线到所述第一金属层、所述第二金属层;位于所述换线区的所述第一金属层、所述第二金属层的数据信号线分别延伸至所述弯折区,并通过第四过孔相互电连接形成弯折区数据信号走线,所述弯折区数据信号走线延伸并设于所述有机填充层的下方。
进一步地,位于所述显示区的所述第三金属层的相邻电源电压信号线在通过所述换线区时,呈多段式结构;位于所述换线区的所述第三金属层的数据信号线在延伸到所述弯折区时,部分所述第三金属层的数据信号线在所述有机填充层的上方延伸通过所述弯折区,部分所述第三金属层的数据号线穿过所述第三过孔换线到所述第二金属层通过所述弯折区,形成弯折区双层数据信号走线结构。
进一步的,其中所述衬底层包括层叠设置的柔性基底、阻隔层和缓冲层。具体地讲,所述阻隔层位于所述柔性基底上;所述缓冲层位于所述阻隔层上,所述缓冲层与所述有源层背离所述第一绝缘层一侧连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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