[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201910672699.9 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110429116B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 陈诚;余赟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括层叠设置的衬底层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、有机填充层和第三金属层;
其特征在于:
所述阵列基板定义有显示区、弯折区以及位于两者之间的换线区,位于所述显示区的所述第二金属层包括用于连接扫描信号线的栅极层和环绕所述栅极层用于连接电源电压信号线的第二金属层走线;
所述第二金属层走线通过第一过孔与所述第三金属层的电源电压信号线电连接,形成显示区双层电源电压走线结构;
位于所述显示区的所述第三金属层的相邻数据信号线在延伸到所述换线区时,分别穿过第二过孔、第三过孔换线到所述第一金属层、所述第二金属层;位于所述换线区的所述第一金属层、所述第二金属层的数据信号线分别延伸至所述弯折区,并通过第四过孔相互电连接形成弯折区数据信号走线,所述弯折区数据信号走线延伸并设于所述有机填充层的下方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层走线相互交错呈菱形、弧形或方形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层走线相互连接,形成网状结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层、所述第二金属层或所述第三金属层的电阻率大于12μΩ*cm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层、所述第二金属层或所述第三金属层的材质包含铝或铝合金。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
位于所述显示区的所述第三金属层的相邻数据信号线在通过所述换线区时,呈多段式结构;
位于所述换线区的所述第三金属层的数据信号线在延伸到所述弯折区时,部分所述第三金属层的数据信号线在所述有机填充层的上方延伸通过所述弯折区,部分所述第三金属层的数据号线穿过所述第三过孔换线到所述第二金属层通过所述弯折区,形成弯折区双层数据信号走线结构。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底层包括:
柔性基底;
阻隔层,位于所述柔性基底上;以及
缓冲层,位于所述阻隔层上,所述缓冲层与所述有源层背离所述第一绝缘层一侧连接。
8.一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板定义有显示区、弯折区以及位于两者之间的换线区,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括步骤:
制作衬底层;
制作有源层,在所述衬底层上制作所述有源层;
制作第一绝缘层,在所述有源层上制作所述第一绝缘层;
制作第一金属层,所述第一金属层的材质包含铝或铝合金,在所述第一绝缘层上制作所述第一金属层并图形化处理;
制作第二绝缘层,在所述第一金属层上制作所述第二绝缘层;
制作第二金属层,所述第二金属层的材质包含铝或铝合金,在所述第二绝缘层上制作所述第二金属层并图形化处理,形成第二金属层走线;所述第二金属层走线相互连接形成网状结构;
制作层间绝缘层,在所述第二金属层上制作所述层间绝缘层,并通过蚀刻在所述显示区的所述层间绝缘层上制作第一过孔,在所述弯折区的所述层间绝缘层上制作第二过孔、第三过孔;以及
制作第三金属层,所述第三金属层的材质包含铝或铝合金,所述第三金属层填充所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔;在所述层间绝缘层上制作所述第三金属层并图形化处理,所述第三金属层的电源电压信号线穿过所述第一过孔、所述第三过孔与所述第二金属层走线电连接,形成双层电源电压走线结构。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910672699.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的