[发明专利]分子束外延用衬底粘接方法在审
| 申请号: | 201910669832.5 | 申请日: | 2019-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN110453279A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
| 发明(设计)人: | 高达;王经纬;王丛;李震;刘铭;周立庆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号: | C30B23/02 | 分类号: | C30B23/02;C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司: | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人: | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 夹具 粘接 钼托 时间段 铟片 分子束外延 衬底表面 依次层叠 真空烘烤 抽真空 均匀性 批量化 粘接剂 粘片 沾污 加热 残留 | ||
本发明公开了一种分子束外延用衬底粘接方法,所述方法包括:将钼托放置在第一夹具上,并在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具;将组合后的第一夹具、钼托、铟片、衬底和第二夹具放置于真空烘烤箱内,并在第一时间段内抽真空,在第二时间段内加热。采用本发明,能够提高衬底粘接均匀性,避免衬底被沾污、氧化,粘接剂在衬底表面残留等问题,而且粘接方法容易操作,可以实现批量化粘片工艺的开展。
技术领域
本发明涉及分子束外延技术领域,尤其涉及一种分子束外延用衬底粘接方法。
背景技术
相关技术中,通过采用铟粘接方式固定衬底的方法可以解决无铟粘接方式中出现的衬底表面温度控制困难、衬底温度均匀性差、外延片翘曲度大等问题。但现有的铟粘接方法在实现过程中存在衬底表面沾污、容易被氧化、以及由于粘接剂涂抹不均匀造成衬底温度不均匀的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种分子束外延用衬底粘接方法,用以解决现有技术中衬底表面沾污、被氧化、温度不均匀等技术问题。
本发明实施例提供一种分子束外延用衬底粘接方法,包括:
将钼托放置在第一夹具上,并在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具;
将组合后的第一夹具、钼托、铟片、衬底和第二夹具放置于真空烘烤箱内,并在第一时间段内抽真空,在第二时间段内加热。
根据本发明的一些实施例,方法,还包括:
在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具之前,清洗铟片。
进一步地,清洗铟片,包括:
在丙酮中超声清洗铟片;
在甲醇中超声清洗铟片。
根据本发明的一些实施例,方法,还包括:
在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具之前,制备与衬底适配的铟片。
根据本发明的一些实施例,钼托呈平板状,钼托的周缘设有多个凸耳,第一夹具呈桶状,第一夹具的一端设有与多个凸耳一一对应的多个缺口,每个凸耳适于定位于其对应的缺口内;
将钼托放置在第一夹具上,包括:
将钼托的多个凸耳装配置第一夹具的多个缺口中。
根据本发明的一些实施例,在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具,包括:
在钼托远离第一夹具的一侧同轴铺设铟片;
在铟片远离钼托的一侧同轴铺设衬底;
将环形第二夹具压在衬底远离铟片的一侧。
进一步地,铟片的直径与衬底的直径之差为L,0㎜<L≤4㎜。
根据本发明的一些实施例,铟片的厚度为H,0.1㎜≤H≤0.3㎜。
根据本发明的一些实施例,在第一时间段内抽真空,在第二时间段内加热,包括:
抽真空至10mbar以下,并保持6小时至8小时;
加热至170℃,并保持6小时至8小时。
根据本发明的一些实施例,方法,还包括:
在第一时间段内抽真空后以及在第二时间段内加热时,往真空烘烤箱内持续充氮气。
采用本发明实施例,能够较好地解决相关技术中铟粘接衬底操作中粘接剂不均匀、粘接效果不可控、衬底氧化、粘接剂表面残留等问题,而且易于操作,可以实现批量化粘片工艺的开展。
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