[发明专利]分子束外延用衬底粘接方法在审
| 申请号： | 201910669832.5 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110453279A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 高达;王经纬;王丛;李震;刘铭;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 夹具 粘接 钼托 时间段 铟片 分子束外延 衬底表面 依次层叠 真空烘烤 抽真空 均匀性 批量化 粘接剂 粘片 沾污 加热 残留 | ||
1.一种分子束外延用衬底粘接方法，其特征在于，包括：
将钼托放置在第一夹具上，并在所述钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具；
将组合后的所述第一夹具、所述钼托、所述铟片、所述衬底和所述第二夹具放置于真空烘烤箱内，并在第一时间段内抽真空，在第二时间段内加热。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：
在所述钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具之前，清洗所述铟片。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述清洗所述铟片，包括：
在丙酮中超声清洗所述铟片；
在甲醇中超声清洗所述铟片。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：
在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具之前，制备与所述衬底适配的铟片。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钼托呈平板状，所述钼托的周缘设有多个凸耳，所述第一夹具呈桶状，所述第一夹具的一端设有与多个所述凸耳一一对应的多个缺口，每个所述凸耳适于定位于其对应的所述缺口内；
所述将钼托放置在第一夹具上，包括：
将所述钼托的多个所述凸耳装配置所述第一夹具的多个所述缺口中。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具，包括：
在所述钼托远离所述第一夹具的一侧同轴铺设铟片；
在所述铟片远离所述钼托的一侧同轴铺设衬底；
将环形第二夹具压在衬底远离所述铟片的一侧。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述铟片的直径与所述衬底的直径之差为L，0㎜＜L≤4㎜。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铟片的厚度为H，0.1㎜≤H≤0.3㎜。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一时间段内抽真空，在第二时间段内加热，包括：
抽真空至10mbar以下，并保持6小时至8小时；
加热至170℃，并保持6小时至8小时。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：
在第一时间段内抽真空后以及在第二时间段内加热时，往所述真空烘烤箱内持续充氮气。
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