[发明专利]量子点发光二极管以及制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种量子点发光二极管以及制备方法，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管以及制备方法。

背景技术

量子点是一种新型发光材料，有光谱可调，成本低，可大面积制备等优势。

对于量子点发光二极管，需要将载流子(空穴、电子)限制在发光层复合，而目前的器件结构虽然可以一定程度上的限制，但仍有载流子通过。因此，目前的量子点发光二极管中，载流子不能很好的被限制在发光层，而存在器件的发光效率不是很高的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管以及制备方法，以解决现有技术中目前的量子点发光二极管中，载流子不能很好的被限制在发光层，而存在器件的发光效率不是很高的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管，包括：

基底；

形成在所述基底上的阳极；

形成在所述阳极上的空穴传输层；

形成在所述空穴传输层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两层势垒层和比所述势垒层的层数少一层的发光层，所述势垒层和所述发光层间隔层叠设置，所述空穴传输层紧邻所述势垒层；形成在所述多量子阱层的电子传输层，紧邻所述多量子阱层中的势垒层；

形成在所述电子传输层上的阴极。

可选的，所述势垒层为第一禁带量子点层，所述发光层为第二禁带量子点层，所述第一禁带量子点层的禁带宽度大于所述第二禁带量子点层的禁带宽度。

可选的，还包括形成在所述阴极上的薄膜封装层。

可选的，所述空穴传输层为聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐空穴传输层。

可选的，所述电子传输层包括氧化锌电子传输层、氧化钛电子传输层以及氧化锆电子传输层中的任一一种。

可选的，所述第一禁带量子点层和所述第二禁带量子点层包括硫化铅量子点层、硒化铅量子点层或者碲化铅量子点层中的任一一种。

第二方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成阳极；

在所述阳极上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两层势垒层和比所述势垒层的层数少一层的发光层，所述势垒层和所述发光层间隔层叠设置，所述空穴传输层紧邻所述势垒层；在所述多量子阱层上形成电子传输层，紧邻所述多量子阱层中的势垒层；

在所述电子传输层上形成阴极。

可选的，在所述空穴传输层上形成多量子阱层具体包括：

在所述空穴传输层上采用溶液旋涂法，交叉旋涂势垒层和发光层。

可选的，还包括在所述阴极上形成薄膜封装层。

可选的，在所述电子传输层上形成阴极具体包括：

通过蒸镀工艺在所述电子传输层上形成阴极。