[发明专利]量子点发光二极管以及制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：

基底；

形成在所述基底上的阳极；

形成在所述阳极上的空穴传输层；

形成在所述空穴传输层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两层势垒层和比所述势垒层的层数少一层的发光层，所述势垒层和所述发光层间隔层叠设置，所述空穴传输层紧邻所述势垒层；

形成在所述多量子阱层上的电子传输层，紧邻所述多量子阱层中的势垒层；

形成在所述电子传输层上的阴极。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，

所述势垒层为第一禁带量子点层，所述发光层为第二禁带量子点层，所述第一禁带量子点层的禁带宽度大于所述第二禁带量子点层的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，

还包括形成在所述阴极上的薄膜封装层。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，

所述空穴传输层为聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐空穴传输层。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，

所述电子传输层包括氧化锌电子传输层、氧化钛电子传输层以及氧化锆电子传输层中的任一一种。

6.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，

所述第一禁带量子点层和所述第二禁带量子点层包括硫化铅量子点层、硒化铅量子点层或者碲化铅量子点层中的任一一种。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成阳极；

在所述阳极上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两层势垒层和比所述势垒层的层数少一层的发光层，所述势垒层和所述发光层间隔层叠设置，所述空穴传输层紧邻所述势垒层；在所述多量子阱层上形成电子传输层，紧邻所述多量子阱层中的势垒层；

在所述电子传输层上形成阴极。

8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，

在所述空穴传输层上形成多量子阱层具体包括：

在所述空穴传输层上采用溶液旋涂法，交叉旋涂势垒层和发光层。

9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，

还包括在所述阴极上形成薄膜封装层。

10.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，

在所述电子传输层上形成阴极具体包括：

通过蒸镀工艺在所述电子传输层上形成阴极。