[发明专利]光耦合装置

说明书

本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。

本申请享受以日本专利申请2018-218229号(申请日：2018年11月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种光耦合装置。

背景技术

光耦合装置(包括光耦合器、光继电器)能够使用发光元件将输入电信号转换为光信号、并在由受光元件受光之后输出电信号。因此，光耦合装置能够在输入输出之间绝缘的状态下传送电信号。

在机床控制、半导体测试器等用途中，越发要求光耦合装置的高速化。例如，要求5GHz以上的高频通过特性。此外，在这些用途中，为了构成系统，需要多个光耦合装置。在这样的情况下，为了向电路基板进行高密度安装，要求安装面积小且低轮廓的表面安装型封装。

发明内容

实施方式提供一种光耦合装置，搭载于安装面积小且低轮廓的表面安装封装，高频通过特性被改善。

实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。上述输入端子包括第一引线以及第二引线。上述输出端子包括第三引线以及第四引线。上述第一MOSFET是具有第一面的第一MOSFET，该第一面具有第一电极焊盘区域以及与上述第一引线邻接配置的第一接合区域，该第一MOSFET通过被接合到上述第三引线上而使漏极区域与上述第三引线被电连接。上述第二MOSFET是具有第一面的第二MOSFET，该第一面具有第二电极焊盘区域以及与上述第二引线邻接设置的第二接合区域，通过上述第二MOSFET被接合到上述第四引线上，由此漏极区域与上述第四引线被电连接。上述半导体受光元件是分别与上述第一接合区域以及上述第二接合区域接合的半导体元件，且具有受光区域以及设置在上述受光区域外侧的电极焊盘区域，上述受光区域设置在与上述第一MOSFET和上述第二MOSFET接合的面的相反侧的面的中央部。上述半导体发光元件与上述输入端子连接，并能够朝向上述受光区域射出发射光。上述树脂层密封上述第一MOSFET和上述第二MOSFET、上述半导体受光元件、上述半导体发光元件、上述输入端子的上表面和侧面、以及上述输出端子的上表面和侧面。

附图说明

图1(a)是第一实施方式涉及的光耦合装置的示意平面图，图1(b)是沿A-A线的示意截面图，图1(c)是沿B-B线的示意截面图。

图2(a)是半导体发光元件的示意侧视图，图2(b)是其示意平面图，图2(c)是半导体受光元件的示意平面图，图2(d)是沿C-C线的层叠构造的示意截面图。

图3是第一实施方式涉及的光耦合装置的等价电路图。

图4(a)是比较例涉及的光耦合装置的示意平面图，图4(b)是沿D-D线的示意截面图，图4(c)是沿E-E线的示意截面图。

图5是比较例涉及的光耦合装置的等价电路图。

图6是表示第一实施方式与比较例的高频通过特性的曲线图。

图7(a)是第二实施方式涉及的光耦合装置的示意平面图，图7(b)是沿A-A线的示意截面图，图7(c)是沿B-B线的示意截面图。