[发明专利]光耦合装置

权利要求书

1.一种光耦合装置，具备：输入端子，包括第一引线以及从上述第一引线分离的第二引线；输出端子，包括从上述第一引线及上述第二引线分离的第三引线以及第四引线，上述第三引线以及上述第四引线分别为具有上表面和下表面和侧面的平板状，上述第四引线从上述第三引线分离；第一MOSFET，具有第一面，该第一面具有第一电极焊盘区域以及与上述第一引线邻接配置的第一接合区域，该第一MOSFET通过被接合到上述第三引线的上表面而使漏极区域与上述第三引线电连接；第二MOSFET，具有第一面，该第一面具有第二电极焊盘区域以及与上述第二引线邻接设置的第二接合区域，该第二MOSFET通过被接合到上述第四引线的上表面而使漏极区域与上述第四引线电连接，该第二MOSFET与上述第一MOSFET分离；半导体受光元件，跨越上述第一MOSFET及上述第二MOSFET之间的空间而与上述第一接合区域以及上述第二接合区域接合，且具有受光区域以及设置在上述受光区域外侧的电极焊盘区域，上述受光区域设置在与上述第一MOSFET以及上述第二MOSFET接合的面的相反侧的面的中央部；半导体发光元件，在上述第一MOSFET及上述第二MOSFET之间的上述空间的上方，连接于上述半导体受光元件的上述受光区域上，与上述输入端子电连接，能够朝向上述受光区域射出发射光；以及树脂层，密封上述第一MOSFET和上述第二MOSFET、上述半导体受光元件、上述半导体发光元件、上述第三引线及上述第四引线各自的上表面和侧面，使上述第三引线及上述第四引线各自的下表面露出，所述光耦合装置不使用绝缘基板。

2.如权利要求1所述的光耦合装置，其中，上述第一MOSFET和上述第二MOSFET被进行共源极连接，且两个源极电极分别与上述半导体受光元件的一个电极连接，上述第一MOSFET和上述第二MOSFET的栅极电极分别与上述半导体受光元件的另一个电极连接。

3.如权利要求1或2所述的光耦合装置，其中，还具有粘接层，该粘接层对上述受光区域与上述半导体发光元件进行粘接，且具有透光性和绝缘性。

4.如权利要求1或2所述的光耦合装置，其中，上述输入端子的下表面以及上述输出端子的下表面具有朝向下方成为凸部的台阶。

5.如权利要求1或2所述的光耦合装置，其中，上述输入端子的上表面以及上述输出端子的上表面含有Ag，上述输入端子的侧面以及上述输出端子的侧面含有Cu、Ni、Pd中的至少一种。

6.如权利要求1或2所述的光耦合装置，其中，上述输入端子的上表面以及上述输出端子的上表面含有氧化银。

7.一种光耦合装置，具备：第一芯片板；第二芯片板；半导体受光元件，设置于上述第一芯片板的上表面，在上表面具有受光区域、第一电极以及第二电极；半导体发光元件，设置在上述受光区域上，在上表面具有第一电极和第二电极，朝向上述受光区域射出发射光；半导体控制元件，设置于上述第二芯片板的上表面，并具有输入电极和输出电极，上述输入电极与上述半导体受光元件连接；输入端子，具有第一引线和第二引线，上述第一引线与上述半导体发光元件的上述第一电极连接，上述第二引线与上述半导体发光元件的上述第二电极连接；输出端子，具有第三引线和第四引线，上述第三引线与上述半导体控制元件的上述输出电极中的一方连接，上述第四引线与上述半导体控制元件的上述输出电极中的另一方的电极连接；以及树脂层，密封上述第一引线的上表面和侧面、上述第二引线的上表面和侧面、上述第三引线的上表面和侧面、上述第四引线的上表面和侧面、上述第一芯片板的上表面和侧面、上述第二芯片板的上表面和侧面、上述半导体受光元件、上述半导体发光元件、以及上述半导体控制元件，使上述第一引线的下表面、上述第二引线的下表面、上述第三引线的下表面、上述第四引线的下表面露出，

所述光耦合装置不使用绝缘基板。

8.如权利要求7所述的光耦合装置，其中，上述输入端子的下表面以及上述输出端子的下表面具有朝向下方成为凸部的台阶。

9.如权利要求7或8所述的光耦合装置，其中，上述半导体控制元件包括两个MOSFET，两个栅极与上述半导体受光元件的上述第一电极连接，两个源极在内部直接连接且与上述半导体受光元件的上述第二电极连接，两个漏极分别与上述第三引线以及上述第四引线连接。