[发明专利]热处理装置和基片滑动检测方法在审
申请号: | 201910618989.5 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110718482A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 沟部优;岩男和幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热板 分割区域 外周 载置 热处理装置 滑动 温度测量部 推断 测量 热处理 滑动检测 温度设定 外周部 下降量 中央部 加热 分割 检测 | ||
本发明提供热处理装置和基片滑动检测方法,能够检测将基片载置到热板时该基片有无滑动。该热处理装置能够对基片进行热处理,并具有能够载置所述基片并加热该基片的热板,所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域,并且对每个所述区域进行温度设定,其中,所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的,所述热处理装置还包括:温度测量部,其分别设置在所述热板的所述外周分割区域,并测量所述热板的该外周分割区域的温度;和滑动推断部,其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量,来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
技术领域
本发明涉及热处理装置和基片滑动检测方法。
背景技术
专利文献1公开了一种热处理装置,其在加热基片的加热板上具有用于判断基片是否搁置于异物的结构。该热处理装置中,在加热板上以在水平方向上彼此隔开间隔的方式设置有多个加热器,并且以与这些加热器对应的方式配置有温度传感器。在将基片载置于已设定为设定温度的加热板上之后,对加热板的温度从被基片吸热而开始降低至返回到上述设定温度的期间所测定的温度传感器的温度测定值,计算标准偏差。根据该标准偏差与预先设定的阈值的比较结果,判断基片在加热板上是否搁置于异物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-151247号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术为检测在将基片载置到热板时该基片有无滑动。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式为一种能够对基片进行热处理的热处理装置,其具有能够载置所述基片并加热该基片的热板,所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域,并且对每个所述区域进行温度设定,其中,所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的,所述热处理装置还包括:温度测量部,其分别设置在所述热板的所述外周分割区域,并测量所述热板的该外周分割区域的温度;和滑动推断部,其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量,来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
发明效果
依照本发明,能够检测将基片载置到热板时该基片有无滑动。
附图说明
图1是示意性表示第一实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。
图2是表示第一实施方式的基片处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图3是表示第一实施方式的基片处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图4是表示热处理装置的结构的概略的纵截面的说明图。
图5是表示热处理装置的结构的概略的横截面的说明图。
图6是表示热处理装置的热板的结构的概略的俯视说明图。
图7是表示输送臂的结构的概略的俯视说明图。
图8是表示检测部的结构的概略的侧视说明图。
图9是示意性表示第一实施方式的控制部的结构的概略的框图。
图10A是滑动推断部的推断方法的说明图,表示基片发生了滑动的状态。
图10B是滑动推断部的推断方法的说明图,表示基片没有发生过滑动的状态。
图10C是滑动推断部的推断方法的说明图,表示基片在反向发生了滑动的状态。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造