[发明专利]OLED器件及显示装置在审
申请号: | 201910613656.3 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110429188A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 陈旭 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光层 发光主体材料 量子点材料 显示装置 红光 阴极 蓝光荧光材料 电子传输层 电子注入层 空穴传输层 空穴注入层 发光效率 发射绿光 磷光材料 荧光材料 有机材料 有机发光 主体材料 阳极 发射 构建 基板 蓝光 磷光 绿光 掺杂 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,所述OLED器件包括:基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极;
其中,所述发光层包括发光主体材料和量子点材料,所述发光主体材料包括发射绿光和发射红光的磷光材料以及发射蓝光的荧光材料。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述发光主体材料和所述量子点材料发射的光的颜色相同。
3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述发光主体材料的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱相重叠。
4.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述量子点材料的半峰宽为12~18nm。
5.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述量子点材料的质量占所述发光层的质量的1~50%。
6.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述量子点材料包括有机无机杂化钙钛矿、无机钙钛矿量子点、2-6族量子点、3-5族量子点、4-6族量子点、1-3-6族量子点以及2-6族量子点的核壳结构、3-5族量子点的核壳结构、4-6族量子点的核壳结构、1-3-6族量子点的核壳结构中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层的材料包括金属氧化物纳米粒子,有机材料,石墨烯中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层的材料的能级与所述量子点材料的能级相匹配。
9.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件的厚度为50nm~1000nm。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任意一项所述的OLED器件。
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