[发明专利]一种基于IGBT单元的击穿检测方法

说明书

本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种基于IGBT单元的击穿检测方法，在IGBT单元的输出时长达到切换时间的时候，对当前时刻IGBT单元的输出功率进行判断，只有在IGBT单元的输出功率满足可进行击穿检测的条件时，再控制IGBT单元由当前的工作状态切换至击穿检测状态对IGBT单元进行击穿检测；本方案设计的击穿检测方法对IGBT单元的低边驱动和高边驱动的击穿情况都能检测到且无需更改IGBT单元的驱动方式，只需要通过预设的切换时间进行定时的状态切换即可检测到IGBT单元的击穿情况，算法简单，可检测的范围大。

技术领域

本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种基于IGBT单元的击穿检测方法。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称为IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT在工作过程中发生击穿是较常见的现象，造成IGBT发生击穿的因素有很多，例如：过流、过压、过温和短路等都可能造成IGBT发生击穿。随着半导体开关技术的发展，半导体开关器件被广泛地应用在电焊机、变频器、SVG、柔性直流输电等设备中。在设备生产、调试、运输、现场维修或返修时经常不可避免地会出现半导体器件(如IGBT)损坏。在器件损坏的情况下，一旦设备上电运行，极易导致IGBT直通损坏，严重时会导致整个设备完全或部分炸毁。因此特别有必要提供一种能够用来检测IGBT击穿的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种基于IGBT单元的击穿检测方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种基于IGBT单元的击穿检测方法，包括以下步骤：

S1、预设IGBT单元的击穿检测的切换时间；

S2、判断IGBT单元的输出时长是否达到所述切换时间；

S3、若IGBT单元的输出时长达到所述切换时间，则判断当前时刻IGBT单元的输出功率是否满足击穿检测条件；

S4、若当前时刻IGBT单元的输出功率满足击穿检测条件，则控制IGBT单元由当前的工作状态切换至击穿检测状态；

S5、当IGBT单元切换至击穿检测状态后，判断IGBT单元是否处于击穿状态；

S6、若IGBT单元不是处于击穿状态，则控制IGBT单元由击穿检测状态切换至工作状态。

本发明的有益效果在于：

本方案通过预设IGBT单元的击穿检测的切换时间，先判断IGBT单元的输出时长是否达到所述切换时间，在IGBT单元的输出时长达到切换时间的时候，对当前时刻IGBT单元的输出功率进行判断，只有在IGBT单元的输出功率满足可进行击穿检测的条件时，再控制IGBT单元由当前的工作状态切换至击穿检测状态，在切换至至击穿检测状态后，若IGBT单元不是处于击穿状态，则控制IGBT单元由击穿检测状态切换至工作状态，说明在一个切换时间内IGBT单元是没有击穿；本方案设计的击穿检测方法对IGBT单元的低边驱动和高边驱动的击穿情况都能检测到且无需更改IGBT单元的驱动方式，只需要通过预设的切换时间进行定时的状态切换即可检测到IGBT单元的击穿情况，算法简单，可检测的范围大。

附图说明

图1为根据本发明的一种基于IGBT单元的击穿检测方法的步骤流程图。