[发明专利]一种基于IGBT单元的击穿检测方法有效
| 申请号： | 201910599011.9 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110244209B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谢美珍;郑昕斌 | 申请（专利权）人： | 福州丹诺西诚电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 单元 击穿 检测 方法 | ||
1.一种基于IGBT单元的击穿检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、预设IGBT单元的击穿检测的切换时间；
S2、判断IGBT单元的输出时长是否达到所述切换时间；
S3、若IGBT单元的输出时长达到所述切换时间，则判断当前时刻IGBT单元的输出功率是否满足击穿检测条件；
S4、若当前时刻IGBT单元的输出功率满足击穿检测条件，则控制IGBT单元由当前的工作状态切换至击穿检测状态；
S5、当IGBT单元切换至击穿检测状态后，判断IGBT单元是否处于击穿状态；
S6、若IGBT单元不是处于击穿状态，则控制IGBT单元由击穿检测状态切换至工作状态；
步骤S5中判断IGBT单元是否处于击穿状态的判断方法为：
S51、获取IGBT单元的驱动状态；所述驱动状态包括高边驱动和低边驱动；
S52、判断IGBT单元的低边驱动是否有击穿；若是，则控制IGBT单元截止，若否，则进入步骤S53；
S53、判断IGBT单元的高边驱动是否有击穿，若是，则控制IGBT单元截止，若否，则控制IGBT单元由击穿检测状态切换至工作状态；
所述IGBT单元包括IGBT1单元和IGBT2单元，所述IGBT1单元与所述IGBT2单元电连接；
步骤S52中判断IGBT单元的低边驱动是否有击穿的判断方法包括：判断IGBT1单元的低边驱动是否有击穿的步骤和判断IGBT2单元的低边驱动是否有击穿的步骤；
所述判断IGBT1单元的低边驱动是否有击穿的步骤包括：
控制IGBT1单元和IGBT2单元的低边管均关闭，控制IGBT1单元和IGBT2单元的高边管均开启；
第一次采集IGBT单元的总电流值并判断第一次采集到的IGBT单元的总电流值的绝对值是否大于零；
若是，则控制IGBT1单元的高边管关闭；
第二次采集IGBT单元的总电流值并判断第二次采集到的IGBT单元的总电流值的绝对值是否大于零；
若是，则控制IGBT1单元和IGBT2单元均截止；
所述判断IGBT2单元的低边驱动是否有击穿的步骤包括：
控制IGBT1单元和IGBT2单元的低边管均关闭，控制IGBT1单元和IGBT2单元的高边管均开启；
第一次采集IGBT单元的总电流值并判断第一次采集到的IGBT单元的总电流值的绝对值是否大于零；
若否，则控制IGBT1单元的高边管关闭和IGBT2单元的高边管开启；
第二次采集IGBT单元的总电流值并判断第二次采集到的IGBT单元的总电流值的绝对值是否大于零；
若是，则控制IGBT1单元和IGBT2单元均截止。
2.根据权利要求1所述的基于IGBT单元的击穿检测方法，其特征在于，所述击穿检测条件为IGBT单元在预设时间段内的输出功率持续增长或持续减小。
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