[发明专利]NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器

说明书

本发明提供了一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器，该连接方法应用于读出放大器。其中，读出放大器包括高压器件以及低压器件，且高压器件以及低压器件均包括栅极以及有源区。具体的，本方法将高压器件设置在读出放大器中的第一预设位置，将低压器件设置在读出放大器中与第一预设位置相邻的第二预设位置。然后设置位线为连续不断的第二金属走线，每条位线通过第一过孔与一个高压器件中栅极电相连，高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连，第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个低压器件的有源区电相连。即本发明将高压器件的有源区通过第一金属走线与低压器件相连，位线无需被切断，简化了生产工艺。

技术领域

本发明涉及半导体存储技术领域，具体涉及一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器。

背景技术

在NAND闪存单元的擦除操作中，阵列阱是高压偏置的，而位线是悬空的，这就导致位线会被阵列阱上的高压偏置耦合到高压，因此在每个读出放大器中需要高压器件来分离低压器件。

通常，将多个高压器件设置在一起，将多个低压器件设置在一起，这样能够使得高压器件共用同一个阱，节省占用空间。然而，上述器件排布方式使得每一条位线都需要被切断，然后重新连接到一个不同的器件的源极和漏极。而位线切割和重新连接需要特殊的工艺来实现，并需要使用标识层，对位线切割处进行标记，生产工艺较为复杂。

因此，如何提供NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器，能够降低生产工艺的复杂度，是本领域技术人员亟待解决的一大技术难题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器，能够降低生产工艺的复杂度。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法，应用于读出放大器，所述读出放大器包括高压器件以及低压器件，所述高压器件以及所述低压器件均包括栅极以及有源区，所述有源区包括源极和漏极，所述连接方法包括：

将所述高压器件设置在所述读出放大器中的第一预设位置，将所述低压器件设置在所述读出放大器中与所述第一预设位置相邻的第二预设位置；

设置所述位线为连续不断的第二金属走线，每条所述位线通过第一过孔与一个所述高压器件中栅极电相连，所述高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连，所述第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个所述低压器件的有源区电相连。

一种读出放大器，基于上述的NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法制备，包括：高压器件以及低压器件，所述高压器件以及所述低压器件均包括栅极以及有源区，所述有源区包括源极和漏极；

沿位线的延伸方向，每条所述位线通过第一过孔与一个所述高压器件的栅极电连接；

所述高压器件的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连；

所述第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个所述低压器件的有源区电连接。

可选的，沿所述位线的延伸方向，所述位线为连续不断的第二金属走线。

可选的，所述高压器件的有源层与所述低压器件的有源层位于同层；

所述第一金属走线位于所述有源层远离所述栅极的一侧；

所述位线位于所述栅极远离所述有源层的一侧。

可选的，多个所述高压器件设置在所述读出放大器中的第一预设位置，多个所述低压器件设置在所述读出放大器中的第二预设位置，所述第一预设位置与所述第二预设位置相邻。

可选的，所述第一金属走线的宽度大于所述第二金属走线的宽度。