[发明专利]NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器

权利要求书

1.一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法，其特征在于，应用于读出放大器，所述读出放大器包括高压器件以及低压器件，所述高压器件以及所述低压器件均包括栅极以及有源区，所述有源区包括源极和漏极，所述方法包括：

将所述高压器件设置在所述读出放大器中的第一预设位置，将所述低压器件设置在所述读出放大器中与所述第一预设位置相邻的第二预设位置；

设置所述位线为连续不断的第二金属走线，每条所述位线分别通过一个第一过孔与一个所述高压器件中栅极电相连，所述高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连，所述第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个所述低压器件的有源区电相连。

2.一种读出放大器，其特征在于，基于权利要求1所述的NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法制备，包括：高压器件以及低压器件，所述高压器件以及所述低压器件均包括栅极以及有源区，所述有源区包括源极和漏极；

沿位线的延伸方向，每条所述位线分别通过一个第一过孔与一个所述高压器件的栅极电连接；

所述高压器件的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连；

所述第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个所述低压器件的有源区电连接。

3.根据权利要求2所述的读出放大器，其特征在于，沿所述位线的延伸方向，所述位线为连续不断的第二金属走线。

4.根据权利要求2所述的读出放大器，其特征在于，所述高压器件的有源层与所述低压器件的有源层位于同层；

所述第一金属走线位于所述有源层远离所述栅极的一侧；

所述位线位于所述栅极远离所述有源层的一侧。

5.根据权利要求2所述的读出放大器，其特征在于，多个所述高压器件设置在所述读出放大器中的第一预设位置，多个所述低压器件设置在所述读出放大器中的第二预设位置，所述第一预设位置与所述第二预设位置相邻。

6.根据权利要求3所述的读出放大器，其特征在于，所述第一金属走线的宽度大于所述第二金属走线的宽度。

7.根据权利要求2所述的读出放大器，其特征在于，还包括：输出走线，

所述输出走线与所述低压器件的有源区电连接。

8.根据权利要求7所述的读出放大器，其特征在于，所述第一金属走线与所述读出放大器的输出走线位于同层。