[发明专利]有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，

具有：包含多个像素区域的显示区域；以及上述显示区域以外的非显示区域，

具备：

基板；

多个源极总线和多个栅极总线，其支撑于上述基板，上述多个源极总线在第1方向上延伸，上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸；以及

薄膜晶体管，其配置于上述多个像素区域中的每个像素区域，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述薄膜晶体管具有：栅极电极；氧化物半导体层，其隔着栅极绝缘层配置在上述栅极电极上；以及源极电极和漏极电极，其配置在上述氧化物半导体层之上，电连接到上述氧化物半导体层，

上述多个栅极总线和上述栅极电极由第1导电膜形成，

上述多个源极总线中的每个源极总线的至少一部分、上述源极电极以及上述漏极电极具有包含由第2导电膜形成的下层和由第1透明导电膜形成的上层的层叠结构，

上述有源矩阵基板还具备：像素电极，其配置在上述多个像素区域中的每个像素区域，并且由上述第1透明导电膜形成；以及共用电极，其隔着层间绝缘层配置在上述像素电极上，并且由第2透明导电膜形成，或者还具备：像素电极，其在上述多个像素区域的每个像素区域中隔着层间绝缘层配置在上述薄膜晶体管上，由第2透明导电膜形成，

在上述多个源极总线与上述栅极绝缘层之间，配置有与上述氧化物半导体层由相同氧化物半导体膜形成的在上述第1方向上延伸的多个第1氧化物层，上述多个源极总线中的每个源极总线位于上述多个第1氧化物层中的对应的1个第1氧化物层的上表面，并且上述多个源极总线中的每个源极总线的沿着上述第2方向的宽度比上述对应的1个第1氧化物层的沿着上述第2方向的宽度小，

上述有源矩阵基板还具备配置在上述非显示区域的多个源极-栅极连接部，

上述多个源极-栅极连接部各自具有：

栅极连接部，其由上述第1导电膜形成；

源极连接部，其具有上述层叠结构；

第2氧化物层，其配置在上述源极连接部与上述栅极绝缘层之间，由上述氧化物半导体膜形成；以及

上部连接部，其由上述第2透明导电膜形成，并且将上述栅极连接部和上述源极连接部连接，

上述上部连接部在形成于上述层间绝缘层和上述栅极绝缘层的开口部内，与上述栅极连接部、上述第2氧化物层以及上述源极连接部直接接触，

在从上述基板的法线方向观看时，在上述开口部内，上述第2氧化物层的端部位于比上述源极连接部的端部靠内侧。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述上部连接部仅配置在上述开口部的内侧，与上述层间绝缘层的上表面不接触。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述层间绝缘层是包含与上述氧化物半导体层的沟道区域接触的氧化硅层和配置在上述氧化硅层上的氮化硅层的层叠膜。

4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述氧化物半导体膜包含In-Ga-Zn-O系半导体。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，

上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。

6.一种有源矩阵基板的制造方法，是权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，

在使用第1光掩模的第1光刻工序中进行上述第1导电膜的图案化，

在使用第2光掩模的第2光刻工序中，进行上述第2导电膜的第1次图案化和上述氧化物半导体膜的图案化，

在使用第3光掩模的第3光刻工序中，进行上述第1透明导电膜的图案化和上述第2导电膜的第2次图案化，

在使用第4光掩模的第4光刻工序中，将上述第2氧化物层作为蚀刻阻挡物进行上述层间绝缘层和上述栅极绝缘层的图案化，

在使用第5光掩模的第5光刻工序中，进行上述第2透明导电膜的图案化。