[发明专利]用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法

权利要求书

1.一种用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，

在图像传感器像素单元中需隔离的有源区之间设置有栅极结构以实现开关功能，从而实现所述有源区的电学隔离。

2.如权利要求1所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，在所述栅极结构上施加偏置电压以实现开关功能，从而实现所述有源区的电学隔离。

3.如权利要求2所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，用于隔离N型有源区的栅极结构的偏置电压和用于隔离P型有源区的栅极结构的偏置电压不同。

4.如权利要求3所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，对于N型有源区隔离，阈值电压为0V到10V之间，所述偏置电压小于阈值电压时，所述栅极结构为关闭状态；所述偏置电压大于阈值电压时，所述栅极结构为开启状态。

5.如权利要求3所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，对于P型有源区隔离，阈值电压为-10V到0V之间，所述偏置电压大于阈值电压时，所述栅极结构为关闭状态；所述偏置电压小于阈值电压时，所述栅极结构为开启状态。

6.如权利要求4或5所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，栅极结构材料的掺杂类型与浓度不同，用于隔离有源区的栅极结构的偏置电压不同。

7.如权利要求6所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，如果栅极结构材料的掺杂类型为N型, 掺杂浓度越大，阈值电压负偏，如果栅极结构材料的掺杂类型为P型, 掺杂浓度越大，阈值电压正偏。

8.如权利要求4或5所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，栅极结构材料的功函数不同，用于隔离有源区的栅极结构的偏置电压不同。

9.如权利要求8所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，如果栅极结构材料的功函数处于4.6到5.2之间，功函数越大，阈值电压正偏，如果栅极结构材料的功函数处于4.0到4.4之间，功函数越小，阈值电压负偏。

10.如权利要求1所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，在所述栅极结构驻留有电荷，通过所述驻留电荷以实现所述有源区的电学隔离。

11.如权利要求1所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，在所述有源区的沟道宽度方向上没有浅沟槽隔离结构的情况下，采用所述栅极结构进行沟道长度方向的隔离。

12.如权利要求1所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，所述需隔离的有源区包括：传输晶体管，行选择晶体管，复位晶体管，源跟随晶体管中的一种或几种的有源区。