[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 201910564788.1 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110660829A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 黄荣仁;金成虎;梁容豪;王盛民 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 栅电极 多晶半导体层 驱动晶体管 补偿晶体管 有机发光二极管显示器 第二电极 第一电极 沟道 衬底 | ||
公开了有机发光二极管显示器。有机发光二极管显示器包括驱动晶体管和补偿晶体管。驱动晶体管包括第一栅电极、多晶半导体层和第二栅电极,第一栅电极布置在衬底上,多晶半导体层布置在驱动晶体管的第一栅电极上并且包括第一电极、第二电极和沟道,并且第二栅电极布置在驱动晶体管的多晶半导体层上。补偿晶体管包括多晶半导体层和栅电极,多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道,并且栅电极布置在补偿晶体管的多晶半导体层上。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月28日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0074950号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器具有自发光特性。由于有机发光二极管显示器不需要单独的光源,因此与液晶显示器不同,其可具有相对小的厚度和重量。另外,有机发光二极管显示器展现出诸如低功耗、高亮度、高响应速度等的高品质特性。
通常,有机发光二极管显示器包括衬底、定位在衬底上的多个薄膜晶体管、布置在构成薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘层以及连接到薄膜晶体管的有机发光元件。
发明内容
本发明的示例性实施方式虽然存在着形成在显示装置的多晶半导体层中的突起,但是通过例如移除或减少瞬时残像来减小显示装置的厚度并改善显示装置。
根据示例性实施方式,有机发光二极管显示器包括衬底、布置在衬底上的像素、扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线。扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线连接到像素。像素包括有机发光元件、连接到扫描线的第一开关晶体管、将电流施加到有机发光元件的驱动晶体管和对驱动晶体管的操作进行补偿的补偿晶体管。驱动晶体管包括第一栅电极和多晶半导体层,第一栅电极布置在衬底上,并且多晶半导体层布置在第一栅电极上并且包括第一电极、第二电极和沟道。补偿晶体管包括多晶半导体层和第一栅电极,多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道,并且第一栅电极布置在补偿晶体管的多晶半导体层上。
在示例性实施方式中,驱动晶体管还包括布置在驱动晶体管的多晶半导体层上的第二栅电极。
在示例性实施方式中,驱动晶体管的第二栅电极接收流到驱动电压线的驱动电压。
在示例性实施方式中,驱动晶体管还包括布置在衬底与驱动晶体管的第一栅电极之间的重叠层。
在示例性实施方式中,流到驱动电压线的驱动电压施加到重叠层。
在示例性实施方式中,有机发光二极管显示器还包括驱动电压施加部,驱动电压施加部将驱动电压施加到驱动晶体管的重叠层和第二栅电极。
在示例性实施方式中,有机发光二极管显示器还包括第二开关晶体管。第一开关晶体管连接到扫描线和数据线,并且第二开关晶体管连接到扫描线和驱动晶体管的第一栅电极。
在示例性实施方式中,第一开关晶体管包括多晶半导体层和第一栅电极,多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道,并且第一栅电极布置在第一开关晶体管的多晶半导体层上。
在示例性实施方式中,第一开关晶体管还包括布置在第一开关晶体管的多晶半导体层下方的第二栅电极。流到驱动电压线的驱动电压施加到第一开关晶体管的第二栅电极。
在示例性实施方式中,第一开关晶体管包括栅电极和多晶半导体层,栅电极布置在衬底上,并且多晶半导体层布置在第一开关晶体管的栅电极上并且包括第一电极、第二电极和沟道。
在示例性实施方式中,第二开关晶体管包括多晶半导体层和第一栅电极,多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道,并且第一栅电极布置在第二开关晶体管的多晶半导体层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910564788.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的