[发明专利]一种肖特基二极管的模型参数标定方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管的模型参数标定方法，其特征在于，包括：

获取所述肖特基二极管的正向电流-电压特性的测试曲线；

确定预设肖特基二极管模型中的核心参数的标定值以及辅助参数的经验初值；所述核心参数为影响正向电流-电压特性的变化趋势的模型参数，包括感性核心参数、阻性核心参数、电流源核心参数和容性核心参数；所述感性核心参数包括所述肖特基二极管的寄生电感值；所述阻性核心参数包括常温等效电阻值、等效总电阻的一次变化率参数和二次变化率参数；所述电流源核心参数包括饱和电流；所述容性核心参数包括零偏电容；所述感性核心参数的标定值基于所述肖特基二极管的产品手册而确定或者基于经验计算公式而确定；所述阻性核心参数的标定值基于所述测试曲线采用两点法通过二级拟合确定；所述电流源核心参数的标定值基于所述测试曲线的渐近线而确定；所述容性核心参数的标定值通过电容测试设备对所述肖特基二极管进行测试而确定；所述辅助参数为影响正向电流-电压特性的变化精度的模型参数，包括理想因子、势垒电压和指数参数；

调整获取所述辅助参数的调节值；

将所述核心参数的标定值以及所述辅助参数的调节值代入所述预设肖特基二极管模型；

获取所述预设肖特基二极管模型的正向电流-电压特性的仿真曲线；

判断所述仿真曲线与所述测试曲线的拟合误差是否小于预设阈值；

若是，则将所述辅助参数的调节值确定为所述辅助参数的标定值；

若否，则继续执行所述调整获取所述辅助参数的调节值的步骤。

2.根据权利要求1所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述预设肖特基二极管模型包括依次串联的寄生电感、电流源和等效总电阻，以及并联在所述电流源两端的结电容。

3.根据权利要求2所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述电流源的电流I_D为I_D＝I_S[e^(qV/nkK)-1]；其中，I_S为饱和电流；q为电子电荷；V为所述肖特基二极管的两端电压；n为所述理想因子；k为玻尔兹曼常数；K为绝对温度。

4.根据权利要求3所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述等效总电阻的阻值R_s为：其中，为所述常温等效电阻值；T为摄氏温度；T₀为常温；S1为所述一次变化率参数；S2为所述二次变化率参数。

5.根据权利要求4所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述结电容的容值C_j为：其中，C_j0为所述零偏电容；V_R为所述肖特基二极管的两端反偏电压；φ_b为所述势垒电压；M为所述指数参数。

6.根据权利要求5所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述阻性核心参数具体通过下述步骤确定：

计算与常温T₀对应的所述测试曲线的线性区的斜率，并作为所述常温等效电阻值

计算与第一温度T₁对应的所述测试曲线的线性区的斜率，并作为与所述第一温度对应的第一等效总电阻R_s1；

计算与第二温度T₂对应的所述测试曲线的线性区的斜率，并作为与所述第二温度对应的第二等效总电阻R_s2；

基于所述第一等效总电阻R_s1和所述第二等效总电阻R_s2，采用两点法确定所述一次变化率参数S1和所述二次变化率参数S2。

7.根据权利要求5所述的模型参数标定方法，其特征在于，所述寄生电感值具体通过下述步骤确定：

基于下述寄生电感经验计算公式确定所述寄生电感值：

其中，L为所述寄生电感值；h为过孔深度；d为过孔直径。