[发明专利]自对准的MRAM底电极制备方法

权利要求书

1.一种自对准的MRAM底电极制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底依次包括金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连，在所述基底表面依次覆盖有第二阻挡层和导电金属层，所述导电金属层充满所述底部通孔；

对所述导电金属层进行化学机械抛光，以去除所述底部通孔外部的导电金属层并在所述底部通孔内形成所需深度的凹陷；

沉积底电极金属层，以完全充满所述凹陷；

对所述底电极金属层进行化学机械抛光，停止于所述介电层，以在所述凹陷内形成MRAM底电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述导电金属层进行化学机械抛光，包括：将抛光终点停止在所述第二阻挡层，依据终点检测方法检测到所述第二阻挡层后进行过抛光，以完全去除所述第二阻挡层上方全部的导电金属层，并在所述底部通孔内形成所需深度的凹陷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹陷的深度为10～50nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属层的厚度等于或者大于所述凹陷的深度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述底电极金属层进行化学机械抛光，停止于所述介电层包括：检测到所述介电层后进行过抛光，同时除去部分介电层，以完全去除所述介电层上方全部的底电极金属。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属层的材料为Ta、TaN、Ti和TiN中的任意一种或者几种的混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电金属层的材料为Cu、W、Al中的任意一种或者几种的混合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为Ta、TaN、Ti、TiN、Co和Ru中的任意一种或者几种的混合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅SiO、二氧化硅SiO₂、碳氧化物CDO、氮化硅SiN、氟硅玻璃FSG、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、正硅酸乙酯TEOS、Low-K介电质或者Ultra-Low-K介电质。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮氧硅化合物、氮化硅、碳氮硅化合物或者碳化硅。