[发明专利]MRAM底电极的制备方法

权利要求书

1.一种MRAM底电极的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底依次包括金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连，并在所述基底表面依次覆盖有第二阻挡层和导电金属层，所述导电金属层填充满所述底部通孔；

对所述导电金属层进行化学机械抛光，以去除所述第二阻挡层上方的导电金属层；

第一次沉积底电极金属，以填充满对所述导电金属层进行化学机械抛光后在所述底部通孔内形成的碟形凹陷，形成底电极金属预制层；

对所述底电极金属预制层进行化学机械抛光，以去除所述底部通孔外介电层上方多余的第二阻挡层及底电极金属预制层；

第二次沉积底电极金属，以覆盖所述介电层和所述碟形凹陷内的底电极金属，形成底电极金属层；

对所述底电极金属层进行光刻和刻蚀，得到MRAM底电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述导电金属层进行化学机械抛光，包括：将抛光终点停止在所述第二阻挡层，依据终点检测方法检测到所述第二阻挡层后进行过抛光，以完全去除所述第二阻挡层上方的导电金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一次沉积的底电极金属的厚度大于所述碟形凹陷的深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二次沉积的底电极金属与第一次沉积的底电极金属材料相同或不同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属的材料为TaN、Ta、TiN和Ti中的任意一种或者几种的混合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电金属层的材料为Cu、W和Al中的一种或几种的混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为Ta、TaN、Ti、TiN、Co和Ru中的任意一种或几种的混合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅SiO、二氧化硅SiO₂、碳氧化物CDO、氮化硅SiN、氟硅玻璃FSG、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、正硅酸乙酯TEOS、Low-K介电质或者Ultra-Low-K介电质。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮氧硅化合物、氮化硅、碳氮硅化合物或者碳化硅。