[发明专利]一种晶圆的三面切割方法

说明书

本发明公开了半导体技术领域内的一种晶圆的三面切割方法，包括如下步骤：提供晶圆，晶圆输送到位于切割机构下方且可转动的晶圆载台上，探测摄像头扫描分析形成若干条间隔设置的横向切割道和纵向切割道，第一切割刀和第二切割刀分别沿着对应的各纵向切割道对晶圆切割；晶圆载台旋转90°，第一切割刀分别沿着各横向切割道对晶圆切割，第一切割刀沿着横向切割道对晶圆切出凹槽；第二切割刀分别沿着各横向切割道对晶圆切割，第二切割刀沿着横向切割道贯穿切割晶圆将IC分离。本发明能够分3步切割将IC从晶圆中分离，可以降低IC的背面裂纹的风险，增强IC的可靠度并降低产品应力集中，提升切割出的IC产品品质。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种晶圆的三面切割方法。

背景技术

目前，随着光电产业的迅猛发展，高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大，为了大幅度节约成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件结构，然后再分割成各个晶粒，最后再进行封装和焊接，因此，晶圆切割工艺对提高成品率和封装效率有着重要影响。

现有技术中的晶圆切割工艺是为了将多个IC从晶圆中分离，切割后形成的1个晶粒就是1个IC，通过STEP双刀同步切割模式完成第一方向切割，台盘进行旋转90度后完成与第一方向垂直的第二方向的切割动作；其不足之处在于：采用第一方向双刀同步切割后，再进行第二方向的双刀同步切割工艺，由于单颗IC粘附胶膜的粘性下降，同时采用双刀同时切割晶圆作业会增加震动幅度，导致 IC出现背面裂纹，IC的背面裂纹无法通过检验机台进行检验，为确保产品品质需要操作人员对IC手动翻背面进行检验，增加了生产制造过程中的作业难度，影响产能，并且会降低后续制程的可靠度，在客户端容易造成IC断裂及压合异常情况导致客户投诉。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶圆的三面切割方法，能够分3步切割将IC从晶圆中分离，可以降低IC的背面裂纹的风险，增强IC 的可靠度并降低产品应力集中，提升切割出的IC产品品质，优化工艺流程，提高产线产能。

本发明的目的是这样实现的：一种晶圆的三面切割方法，包括如下步骤：

（1）提供晶圆，所述晶圆通过粘合剂层固定在胶膜层上，胶膜层的表面积大于晶圆的表面积，晶圆与胶膜层的中心相重合，所述胶膜层的外周边缘固定有外边框，所述晶圆表面覆盖设置有钝化保护层；

（2）晶圆输送到位于切割机构下方且可转动的晶圆载台上，晶圆水平放置，晶圆与切割机构相对应设置，切割机构包括可横向移动的刀座一和刀座二，刀座一和刀座二之间留有横向间距，所述刀座一和刀座二上分别设有可转动的第一切割刀和第二切割刀，第一切割刀和第二切割刀表面互相平行，第一切割刀表面与晶圆表面相垂直，所述刀座一上设有设置有探测摄像头；

（3） 所述刀座一移动到晶圆上方，探测摄像头扫描分析晶圆形成设定切割图像，所述设定切割图像包括若干条间隔设置的横向切割道和若干条间隔设置的纵向切割道，所述横向切割道和纵向切割道相垂直，各横向切割道和各纵向切割道交叉形成井字形；

（4）所述第一切割刀移动到晶圆上方，第二切割刀位于第一切割刀左侧，并列设置的第一切割刀和第二切割刀均旋转，晶圆载台纵向移动，第一切割刀和第二切割刀分别沿着对应的纵向切割道对晶圆进行切割；然后刀座一和刀座二向右横向移动进刀跨度一，进刀跨度一等于IC芯片短边的距离，第一切割刀和第二切割刀继续旋转，晶圆载台继续纵向移动，第一切割刀和第二切割刀分别沿着下1条对应的纵向切割道对晶圆进行切割；刀座一和刀座二同时继续向右横向移动若干次，第一切割刀和第二切割刀分别沿着对应的各纵向切割道对晶圆切割1遍；