[发明专利]一种晶圆的三面切割方法

权利要求书

1.一种晶圆的三面切割方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）提供晶圆，所述晶圆通过粘合剂层固定在胶膜层上，胶膜层的表面积大于晶圆的表面积，晶圆与胶膜层的中心相重合，所述胶膜层的外周边缘固定有外边框，所述晶圆表面覆盖设置有钝化保护层；

（2）晶圆输送到位于切割机构下方且可转动的晶圆载台上，晶圆水平放置，晶圆与切割机构相对应设置，切割机构包括可横向移动的刀座一和刀座二，刀座一和刀座二之间留有横向间距，所述刀座一和刀座二上分别设有可转动的第一切割刀和第二切割刀，第一切割刀和第二切割刀表面互相平行，第一切割刀表面与晶圆表面相垂直，所述刀座一上设有设置有探测摄像头；

（3） 所述刀座一移动到晶圆上方，探测摄像头扫描分析晶圆形成设定切割图像，所述设定切割图像包括若干条间隔设置的横向切割道和若干条间隔设置的纵向切割道，所述横向切割道和纵向切割道相垂直，各横向切割道和各纵向切割道交叉形成井字形；

（4）所述第一切割刀移动到晶圆上方，第二切割刀位于第一切割刀左侧，并列设置的第一切割刀和第二切割刀均旋转，晶圆载台纵向移动，第一切割刀和第二切割刀分别沿着对应的纵向切割道对晶圆进行切割；然后刀座一和刀座二向右横向移动进刀跨度一，进刀跨度一等于IC芯片短边的距离，第一切割刀和第二切割刀继续旋转，晶圆载台继续纵向移动，第一切割刀和第二切割刀分别沿着下1条对应的纵向切割道对晶圆进行切割；刀座一和刀座二同时继续向右横向移动若干次，第一切割刀和第二切割刀分别沿着对应的各纵向切割道对晶圆切割1遍；

（5）晶圆载台旋转90°，所述设定切割图像中的各横向切割道均呈纵向设置，晶圆载台纵向移动，所述第一切割刀移动到晶圆左侧边缘上方，先沿着左侧第1条横向切割道对晶圆进行切割，然后刀座一向右横向移动进刀跨度二，进刀跨度二等于IC芯片长边的距离，第一切割刀沿着第2条横向切割道对晶圆进行切割，然后刀座一继续向右横向移动若干次，第一切割刀分别沿着各横向切割道对晶圆切割1遍，第一切割刀沿着横向切割道对晶圆切出凹槽；

（6）所述第二切割刀移动到晶圆左侧边缘上方，先沿着左侧第1条横向切割道对晶圆进行切割，然后刀座二向右横向移动进刀跨度二，进刀跨度二等于IC芯片长边的距离，第二切割刀沿着第2条横向切割道对晶圆进行切割，然后刀座二继续向右横向移动若干次，第二切割刀分别沿着各横向切割道对晶圆切割1遍，第二切割刀沿着横向切割道贯穿切割晶圆将IC分离。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述步骤（4）中，第一切割刀先移动到晶圆左侧边缘上方沿着第1条纵向切割道对晶圆进行切割，第一切割刀和第二切割刀的横向距离为25~40cm，此时第二切割刀位于晶圆的左侧，然后刀座一和刀座二同时向右横向移动，继续对晶圆切割；第一切割刀沿着纵向切割道对晶圆切出凹槽，第二切割刀沿着纵向切割道贯穿切割晶圆。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述第一切割刀和第二切割刀均呈盘状，第一切割刀和第二切割刀中部均开设有用于安装转轴的安装孔，第一切割刀的转轴转速为40000~60000/min，第二切割刀的转轴转速为30000~50000/min。

4.根据权利要求1或2所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述步骤（4）中，第一切割刀和第二切割刀横向移动的进刀速度均为40~60mm/s；步骤（5）中第一切割刀横向移动的进刀速度为20~40 mm/s；步骤（6）中第二切割刀横向移动的进刀速度为20~40 mm/s。

5.根据权利要求1或2所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述步骤（4）中，纵向切割道的宽度减去第一切割刀切割晶圆留下的刀痕宽度的差值≥20um，第一切割刀切割晶圆留下的刀痕位于纵向切割道中部，第二切割刀切割晶圆留下的刀痕位于第一切割刀切割晶圆留下的刀痕中部，盘状第一切割刀和第二切割刀的圆形边缘设有刀刃，第一切割刀的刀刃宽度减去第二切割刀的刀刃宽度的差值为10 um。

6.根据权利要求1或2所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述步骤（4）、（5）和（6）中，第一切割刀或第二切割刀切割晶圆时，用清水对晶圆表面进行清洗。

7.根据权利要求1或2所述的一种晶圆的三面切割方法，其特征在于，所述晶圆的直径为203或305 mm。