[发明专利]一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法

说明书

一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法，可解决现有的曝光方法产能较低的技术问题。包括以下步骤：S100、设定光刻机拼板模式；S200、将光刻机拼板按照M行N列模式放在曝光精密平台上；S300、读取单片光刻机板卡图形信息；S400、使用对位相机以最短路径采集每片光刻机板卡上的对位点信息；S500、把采集到的对位点信息，按照对位模型计算指定对位模型参数；S600、将单片光刻机板卡图形组合成M行N列的图形，应用对应的板卡对位参数；S700、对应用对位参数的图形，处理矢量数据，输出指定格式数据，曝光。本发明采用图形拼接技术，将多张单板卡图形资料拼接在一起，并根据区域划分各自板卡的范围，从而应用各自板卡的变形参数，保证对位精度的基础上，提升了产能。

技术领域

本发明涉及半导体光刻机技术领域，具体涉及一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法。

背景技术

直写式光刻技术是在感光材料(多为胶或者膜)的表面印刷具有特征的构图的技术，本发明所涉及的无掩膜光刻技术使用数字微镜系统生成构图，通过光学投影元件，图像以一定得倍率投影到光敏感的衬底上，产生特征的构图。

无掩模光刻能有效地降低光刻系统的复杂度(无需掩模台、掩模传输、框架结构简单)和掩模的加工、维护成本，是进行大尺寸基底光刻的发展趋势之一，而基于空间光调制器(Spatial LightModulator，以下简称SLM)的无掩模光刻方法因其制作灵活、可靠性高和产率较客观等优势越来越多地被用来制作印刷电路板(PCB)、薄膜液晶面板(TFT)、微机电系统(MEMS)。

目前，多数印制电路板(Printed Circuit Board，简称PCB板)激光直接成像系统都采用精密平台的运动与DMD曝光图形输出的匹配输出图像，可以达到的曝光基板的尺寸通常都在24寸宽乘以21寸高，甚至更大。对于基板尺寸接近曝光最大尺寸时，单片生产可满足产能的输出；当基板尺寸较小时(比如 250mm*300mm时，甚至更小90mm*40mm)，单片曝光则降低了产能，同时未能更有效的利用系统资源进行曝光；比如SLM没有全部使用，激光器未打开全部等。此时同等时间，却生产较少的板子。

发明内容

本发明提出的一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法，可解决现有的曝光方法产能较低的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法，包括以下步骤：

S100、设定光刻机拼板模式，设定M行N列模式，其中M、N分别为大于0的自然数；

S200、将光刻机拼板按照M行N列模式放在曝光精密平台上；

S300、通过数据处理软件读取单片光刻版图图形信息，加载到内存，并以指定的数据格式保存；根据设定的拼版模式，将单片光刻版图排布组合成M 行N列；

S400、使用对位相机以最短路径采集每片光刻机板卡上的对位点信息；

S500、把采集到的对位点信息，按照对位模型计算指定对位模型参数；

S600、将单片光刻机板卡图形组合成M行N列的图形，应用对应的板卡对位参数；

S700、对赋予对位参数的图形，处理矢量数据，输出指定格式数据，曝光。

进一步的，所述步骤S500把采集到的对位点信息，按照对位模型计算指定对位模型参数；

其中，板卡(i,j)的对位参数为A(i*N+j),其中0≤i＜M，0≤j＜N，i, j分别代表行数和列数。

进一步的，所述S600将单片光刻机板卡图形组合成M行N列的图形，应用对应的板卡对位参数；

具体为对应的图形数据为(i,j),与板卡(i,j)一一对应，应用对应参数 A(i*N+j)。