[发明专利]放射线检测器在审
| 申请号： | 201910522909.6 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110620123A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 盐田昌弘;田口滋也;进藤刚宏;饭塚邦彦;芦田伸之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极电极 电位 放射线检测器 放射线量 受光元件 检测 | ||
1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
受光元件，其接收从放射线获得的光，并将所述光转换为电信号；以及
放大器晶体管，其对所述电信号进行放大，
所述放大器晶体管具有沟道层、和隔着所述沟道层而设置的第一栅极电极及第二栅极电极，
所述第一栅极电极与所述受光元件连接，
所述第二栅极电极构成为，使得所述第二栅极电极的电位和所述第一栅极电极的电位相同。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述受光元件是光电二极管。
3.根据权利要求2所述的放射线检测器，其特征在于，
所述放射线检测器包括搭载所述光电二极管及所述放大器晶体管的基板，
所述光电二极管包含所掺杂的杂质彼此不同的至少2个层，
所述第一栅极电极与所述2个层中接近所述基板的层连接。
4.根据权利要求2所述的放射线检测器，其特征在于，
所述放射线检测器具有搭载所述光电二极管及所述放大器晶体管的基板，
所述光电二极管包含所掺杂的杂质彼此不同的至少2个层，
所述第一栅极电极与所述2个层中远离所述基板的层连接。
5.根据权利要求3所述的放射线检测器，其特征在于，
所述放大器晶体管在基板上形成。
6.根据权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于，
所述放大器晶体管在基板上形成。
7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述沟道层包含具有不是非晶态的晶体结构的氧化物半导体。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的放射线检测器，其特征在于，
所述沟道层的构成元素至少包含铟及锌。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910522909.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传感器
- 下一篇：摄像器件、信号处理器件和电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
