[发明专利]具有数据记录机构的半导体装置在审
申请号: | 201910519837.X | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110942791A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | T·J·普拉姆;S·D·万德格拉夫 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407;G11C11/4074;G11C29/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 数据 记录 机构 半导体 装置 | ||
本申请案涉及一种具有数据记录机构的半导体装置。一种电子装置包含:检测电路,其经配置以确定与所述电子装置的操作相关联的一或多个操作数据、一或多个装置传感器数据或其组合;触发电路,其可操作地耦合到所述电路,所述触发电路经配置以基于从所述一或多个操作数据、所述一或多个装置传感器数据或其组合检测一或多个目标准则来生成应力输入;以及降级传感器,其可操作地耦合到所述触发电路,所述降级传感器具有阈值电压且经配置以记录在所述电子装置的操作期间发生的所述目标准则,其中所述降级传感器经配置以基于所述阈值电压根据所述应力输入的降级来记录所述目标准则。
技术领域
所揭示实施例涉及半导体装置,且特定来说涉及具有数据记录机构的存储器装置。
背景技术
半导体装置(例如,处理器、存储器系统等)可包含经配置以存储及/或处理信息的半导体电路。例如,存储器装置可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置或组合装置。例如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器装置可利用电能来存储及存取数据。例如,存储器装置可包含实施关于高速数据传送的双倍数据速率DDR介接方案(例如,DDR4、DDR5等)的(DDR)RAM装置。
为了便于收集关于半导体装置的利用率及实际操作参数的数据,将数据记录器实施到装置中以在装置使用期间监测并记录此类数据以供稍后检索可能为有帮助的(例如,在诊断返回装置中的故障时,或用于收集人口数据以提高对常规使用产品的操作条件及环境的理解)。对于预期在可检索数据之前长时间使用的产品(例如,具有多年预期寿命的存储器装置),传统数据记录方法的成本(例如,存储二进制编码的日志事件的非易失性存储器)可能变得过高。
发明内容
本发明的方面提供一种电子装置,所述电子装置包括:侦测电路,其经配置以确定与所述电子装置的操作相关联的一或多个操作数据、一或多个装置传感器数据,或其组合;触发电路,其可操作地耦合到所述检测电路,所述触发电路经配置以基于所述检测电路从所述一或多个操作数据、所述一或多个装置传感器数据或其组合检测一或多个目标准则来生成应力输入;以及降级传感器,其可操作地耦合到所述触发电路,所述降级传感器具有阈值电压且经配置以基于所述阈值电压根据所述应力输入的降级来存储对应于所述目标准则的信息。
本发明的另一方面提供一种操作电子装置的方法,所述方法包括:确定与所述电子装置的操作相关联的一或多个操作数据、一或多个装置传感器数据,或其组合;从所述一或多个操作数据、所述一或多个装置传感器数据或其组合检测一或多个目标准则;及基于检测到所述目标准则使降级传感器的性状降级,其中使所述性状降级用于在所述电子装置的操作期间追踪所述目标准则的量、强度、持续时间及/或发生次数。
附图说明
图1为根据本技术的实施例的存储器装置的框图。
图2说明根据本技术的实施例的数据记录电路的框图。
图3说明根据本技术的实施例的图2的数据记录电路内的连接方案的框图。
图4说明根据本技术的又一实施例的图2的数据记录电路内的连接方案的框图。
图5说明根据本技术的又一实施例的图2的数据记录电路内的连接方案的框图。
图6说明根据本技术的又一实施例的图2的数据记录电路的详细框图。
图7为根据本技术的实施例说明操作图1的记忆体装置的实例方法的流程图。
图8为包含根据本技术的实施例的存储器装置的系统的示意图。
具体实施方式
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