[发明专利]具有数据记录机构的半导体装置在审
申请号: | 201910519837.X | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110942791A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | T·J·普拉姆;S·D·万德格拉夫 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407;G11C11/4074;G11C29/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 数据 记录 机构 半导体 装置 | ||
1.一种电子装置,其包括:
检测电路,其经配置以确定与所述电子装置的操作相关联的一或多个操作数据、一或多个装置传感器数据或其组合;
触发电路,其可操作地耦合到所述检测电路,所述触发电路经配置以基于所述检测电路从所述一或多个操作数据、所述一或多个装置传感器数据或所述其组合检测一或多个目标准则来生成应力输入;及
降级传感器,其可操作地耦合到所述触发电路,所述降级传感器具有阈值电压且经配置以基于所述阈值电压根据所述应力输入的降级来存储对应于所述目标准则的信息。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中:
所述降级传感器为PMOS装置,所述PMOS装置经配置以根据负偏压温度不稳定性NBTI而降级,且
所述触发电路经配置以生成所述应力输入,所述应力输入根据所述NBTI使所述阈值电压增加。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中:
所述降级传感器为NMOS装置,其经配置以根据沟道热载流子CHC降级;且
所述触发电路经配置以生成所述应力输入,所述应力输入根据所述CHC使所述阈值电压增加。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述检测电路包含一或多个传感器、一或多个操作电路或其组合,其中:
所述一或多个传感器经配置以生成表示与所述电子装置的操作相关联的一或多个环境条件的所述一或多个装置传感器数据;且
所述一或多个操作电路经配置以生成表示与所述电子装置的操作相关联的一或多个操作参数的所述一或多个操作数据。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中:
所述一或多个环境条件包含操作温度、环境压力或其组合;且
所述一或多个操作参数包含所述电子装置的操作模式、在所述电子装置处断言的命令、与由所述电子装置执行的操作相关联的地址或其组合。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其中所述触发电路经配置以当所述装置传感器数据对应于目标温度水平或范围时检测所述目标准则。
7.根据权利要求5所述的电子装置,其中所述触发电路经配置以:
除对应于所述目标准则的所述一或多个装置传感器数据、所述一或多个装置传感器数据或其组合外,还接收额外装置传感器数据,所述额外装置传感器数据对应于所述目标准则之外的环境条件;及
基于所述额外装置传感器数据生成对应于应力度量的所述应力输入,其中调整所述应力度量以改变所述降级传感器的降级量,以用于抵消由所述环境条件引起的降级量。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其中:
所述应力度量为所述降级传感器的源极与栅极之间的应力电压;且
所述触发电路经配置以控制所述应力输入的电压以调整所述应力电压。
9.根据权利要求7所述的电子装置,其中:
所述应力度量为工作循环,所述工作循环经配置以控制所述降级传感器中的所述降级量;且
所述触发电路经配置以生成具有对应于所述环境条件的所述工作循环的所述应力输入。
10.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述目标准则之外的所述环境条件包含所述电子装置的操作温度。
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