[发明专利]HEMT器件的外延结构在审
| 申请号： | 201910513344.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110246890A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅衬底 多晶混合物 外延结构 过渡层 碳化硅 机台 硅源气体 漏电通道 生长 缓冲层 硅源 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种HEMT器件的外延结构，包括硅衬底及依次形成的AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层及GaN层，其特征在于：在所述硅衬底和AlN缓冲层之间有厚度为10~100nm的含碳化硅多晶混合物的过渡层，所述含碳化硅多晶混合物的过渡层按照如下方法制备：将硅衬底置于MOCVD机台，在900~1100℃条件下通入硅源气体，流量为20~60sccm，生长时间为1~30s，之后在保持所述硅源输入的同时以流量为200~400sccm通入碳源，生长时间为1~10mins。
2.根据权利要求1所述的HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述含碳化硅多晶混合物的过渡层的生长压力为100~200mbar。
3.根据权利要求1或2所述的HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述硅源气体为SiH4和Si2H6中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述碳源气体为乙烯、丙烷和甲烷中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述AlN缓冲层的厚度为100nm~400nm。
6. 根据权利要求5所述的HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述AlN缓冲层的生长温度为1000~1100℃、生长压力为50~100 mbar。
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