[发明专利]量子点膜及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点膜，其特征在于，包括：

量子点层，含有量子点以及聚合物；

位于所述量子点层两侧的封装层，所述封装层包括硅烷化试剂和高分子材料。

2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述硅烷化试剂遇水时在所述封装层形成二氧化硅和/或聚硅氧烷。

3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述硅烷化试剂包括正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺、二甲基二氯硅烷、1,1,1,3,3,3-六甲基二硅烷、特丁基二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基硅烷基二乙胺、三甲基硅烷咪唑、长链烷基三甲氧基硅烷、长链烷基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述硅烷化试剂在所述封装层中的重量占比为0.1wt％～10wt％。

5.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述聚合物具有晶区和非晶区，所述晶区内高分子链规律排列，所述非晶区内高分子链无序排列，所述量子点分散在所述晶区内。

6.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述封装层对水汽的透过率小于0.1g/m²/day。

7.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述封装层的厚度在10～100微米之间。

8.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点层的厚度在10～50微米之间。

9.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1)、将量子点和聚合物的混合物熔融成流体，然后通过挤压形成流延膜；对所述流延膜拉伸后，冷却压合定型，得到量子点层；步骤2)、在量子点层的两侧制备含有硅烷化试剂的封装层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述封装层的制备过程包括将含有硅烷化试剂的胶水涂覆在量子点层的两侧。