[发明专利]具有高静电防护能力的二极管及其形成方法在审
| 申请号： | 201910509233.7 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086501A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王黎 | 申请（专利权）人： | 彩优微电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 静电 防护 能力 二极管 及其 形成 方法 | ||
1.一种具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，包含：
具有一第一导电类型的一硅基底层；
多个第一沟槽与多个第二沟槽，形成于该硅基底层中；
多个浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构，分别设置于所述多个第一沟槽中以填满所述多个第一沟槽；以及
具有一第二导电类型的一多晶硅层，共形地形成于所述多个第二沟槽的一表面上。
2.根据权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，其中该硅基底层还包含具有该第一导电类型的一高掺杂区，其中该高掺杂区是夹设于两相邻的所述多个浅沟槽隔离结构之间。
3.根据权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，其中所述多个第一沟槽是环绕所述多个第二沟槽。
4.根据权利要求2所述的具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，其中所述多个浅沟槽隔离结构用以隔离具有该第一导电类型的该高掺杂区与具有该第二导电类型的该多晶硅层。
5.根据权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，其中所述多个第二沟槽于该硅基底层的表面上呈矩阵排列。
6.根据权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其特征在于，其中所述多个第二沟槽于该硅基底层的表面上呈环形且共心地排列。
7.一种具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，包含：
蚀刻具有一第一导电类型的一硅基底层，以形成多个第一沟槽与多个第二沟槽于具有该第一导电类型的该硅基底层中；
以一介电材料填充所述多个第一沟槽，以于所述多个第一沟槽中分别形成多个浅沟槽隔离结构；以及
沉积一多晶硅材料于所述多个第二沟槽的一表面上，以于所述多个第二沟槽的该表面上共形地形成一多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，其中该多晶硅材料为具有一第二导电类型的该多晶硅材料，以使得该多晶硅层成为具有该第二导电类型的该多晶硅层。
9.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，还包含：
对该多晶硅层进行一离子布植(Ion Implantation)处理，来对该多晶硅层进行掺杂，以使得该多晶硅层成为具有一第二导电类型的该多晶硅层。
10.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，还包含：
对该硅基底层进行一离子布植处理，以于两相邻的所述多个浅沟槽隔离结构之间形成具有该第一导电类型的一高掺杂区。
11.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，其中所述多个第一沟槽是环绕所述多个第二沟槽。
12.根据权利要求10所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，其中所述多个浅沟槽隔离结构用以隔离具有该第一导电类型的该高掺杂区与该多晶硅层。
13.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，其中所述多个第二沟槽于该硅基底层的表面上呈矩阵排列。
14.根据权利要求7所述的具有高静电防护能力的二极管的形成方法，其特征在于，其中所述多个第二沟槽于该硅基底层的表面上呈环形且共心地排列。
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