[发明专利]用于化学机械抛光的装置及方法

说明书

本发明实施例涉及用于化学机械抛光的装置及方法。所述抛光垫包含：材料层，其具有表面；多个槽，其凹入至所述材料层中的所述表面中；及荧光指示器，其在所述材料层中。所述多个槽的每一者具有第一深度，所述荧光指示器具有第二深度，且所述第二深度等于或小于所述第一深度。

技术领域

本发明实施例涉及用于化学机械抛光的装置及方法。

背景技术

化学机械抛光(CMP)广泛用于集成电路的制造中。在于半导体晶片的表面上逐层建立集成电路时，使用CMP来平坦化最顶部层或诸层以为后续制造操作提供水平表面。通过将半导体晶片放置于晶片载体中而实行CMP，所述晶片载体将待抛光的晶片表面压抵于附接到压盘(platen)的抛光垫。使压盘及晶片载体反向旋转，同时将含有磨蚀颗粒及反应性化学品两者的磨蚀浆料施覆到抛光垫。浆料经由抛光垫的旋转输送到晶片表面。抛光垫与晶片表面的相对移动外加磨蚀浆料中的反应性化学品容许CMP通过物理及化学力两者整平晶片表面。

可在制造集成电路期间的若干时间点使用CMP。例如，可使用CMP来平坦化分离集成电路中的各种电路层的层间(inter-level)介电层。CMP也常用于形成集成电路中的互连组件的导电线。通过磨蚀性地抛光半导体晶片的表面，可移除层中的过量材料及表面粗糙度。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于化学机械抛光(CMP)的抛光垫，其包括：一层，其具有经配置以抛光的表面；多个槽，其凹入至所述层的所述表面中；及荧光指示器，其嵌入于所述层中，其中所述多个槽的每一者具有第一深度，所述荧光指示器定位于第二深度处，且所述第二深度等于或小于所述第一深度。

本发明的实施例涉及一种用于形成抛光垫中的荧光指示器的方法，其包括：接纳抛光垫，所述抛光垫具有表面及凹入至所述表面中的多个槽；将荧光材料施覆于所述抛光垫上方；及固化所述荧光材料以形成嵌入于所述抛光垫中的所述荧光指示器。

本发明的实施例涉及一种用于监测抛光垫的方法，其包括：接纳抛光垫，所述抛光垫具有表面、凹入至所述表面中的多个槽，及透过所述表面暴露的荧光指示器；提供UV光源及荧光检测器；执行抛光操作且通过所述荧光检测器监测荧光讯号；及在所述荧光讯号不存在时停止所述抛光操作且移除所述抛光垫。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征构件未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各种特征构件的尺寸可任意增大或减小。

图1是表示根据本揭露的方面的用于形成抛光垫上的荧光指示器的方法的流程图。

图2是表示根据本揭露的方面的用于形成抛光垫上的荧光指示器的方法的流程图。

图3A、4A及5A是说明在一或多个实施例中根据本揭露的方面构建的各个制造阶段的抛光垫的示意图。

图3B、4B及5B分别为沿3A、4A及5A的线I-I'取得的剖面图。

图6A是说明一或多个实施例中根据本揭露的方面的抛光垫的示意图。

图6B是沿图6A的线II-II'取得的剖面图。

图7A、8A及9A是说明在一或多个实施例中根据本揭露的方面构建的各个制造阶段的抛光垫的示意图。

图7B、8B及9B分别为沿7A、8A及9A的线III-III'取得的剖面图。

图10A及11A是说明在一或多个实施例中根据本揭露的方面构建的各个制造阶段的抛光垫的示意图。

图10B及11B分别为沿图10A及11A的线IV-IV'取得的剖面图。

图12是根据一些实施例的用于CMP的装置的透视图。

图13是表示用于监测抛光垫的方法的流程图。