[发明专利]大面积柔性无机有机插层超晶格薄膜及其制备方法在审
| 申请号: | 201910502173.6 | 申请日: | 2019-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN110255517A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
| 发明(设计)人: | 万春磊;宗鹏安;潘伟 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | C01B21/082 | 分类号: | C01B21/082;C01B32/182;C01B32/198;C01G35/00;C01G39/06;B01J31/02;B01J31/34;B01J31/36;B01J35/00;H01B5/00 |
| 代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 陈波 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 制备 有机插层 自组装 电磁屏蔽性能 无机层状材料 新型电子器件 超晶格薄膜 超晶格结构 高热电性能 商业化应用 高电导率 机械研磨 路易斯酸 无机粉末 有机分子 有机溶液 插层 多晶 杂化 | ||
1.一种无机有机复合薄膜,其特征在于,包括:无机层状材料和有机材料;在该复合薄膜中,有机材料位于无机层状材料的层间,形成“无机层-有机层-无机层”的三明治叠层结构,其中,无机层状材料的含量以复合薄膜总重量计,为60.0~99.9wt%。
2.如权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述无机层状材料为石墨烯、氧化石墨烯、六方BN、石墨相氮化碳、过渡金属硫族化合物MX2结构,其中,M为Mo、W、Zr、Ta、V、Cr、Nb过渡族金属,X为S、Se、Te硫族元素、III-VI层状半导体MX结构,其中,M=Ga、In;X=S、Se、Te或M2X3结构,其中M=Bi;X=S、Se、Te、或过渡金属碳化物;所述有机材料为二甲基亚砜、N-甲基甲酰胺、正己胺。
3.如权利要求1或2所述无机有机复合薄膜的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
1)将无机层状材料粉末和有机材料机械混合并研磨;
2)待无机层状材料粉末充分膨胀后,在有机溶液中超声分散形成均匀分散的液体组合物;
3)然后将液体组合物经过离心、真空干燥后得到复合薄膜材料。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述无机层状材料的含量以复合薄膜总重量计,为80.0~99.8wt%。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述有机材料的含量以复合薄膜总重量计,为0.1~40.0wt%。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述有机材料的含量以复合薄膜总重量计为0.2~20.0wt%。
7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述机械混合并研磨时间为0.1-2h。
8.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述超声分散时间为0.5-10h。
9.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述离心的速度和时间分别为1000-10000转每秒和0.1-2h。
10.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述真空干燥的温度和时间分别为60-200℃和1-72h。
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