[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910486198.1 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110112204B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 田雪雁;李小龙;李良坚;屈财玉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,以改善现有技术的OLED显示面板在多次弯折后,会出现层间介质层容易断裂,进而导致OLED显示面板失效的问题。所述阵列基板,包括依次位于衬底基板一面的栅极、层间介质结构和源漏极层,其中,所述层间介质结构为包括有机层间介质层和无机层间介质层的叠层结构,所述有机层间介质层位于所述无机层间介质层的面向所述衬底基板的一面。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
平面显示器(Flat Panel Display,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode,OLED)显示器、等离子体显示面板(Plasma DisplayPanel,PDP)及场发射显示器(Field Emission Display,FED)等。
低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)TFT-LCD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点,加上由于LTPS-TFT LCD的硅结晶排列较a-Si有次序,使得电子移动率相对高100倍以上,可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上,达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。同时由LTPS衍生的AMOLED凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻薄等优点,也成为了未来显示技术的最好选择。随着智能手机、可穿戴设备、车载显示、AR/VR等搭载柔性显示的电子产品快速发展和普及,中小尺寸产品市场呈现旺盛的需求态势,特别是以AMOLED技术为代表的高性能新型显示技术,正以其在显示性能、轻薄、可弯曲、可折叠等方面独有的性能优势,加速进军高端智能手机市场。
但目前OLED显示面板在多次弯折后,会出现层间介质层容易断裂,进而导致OLED显示面板失效的问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,以改善现有技术的OLED显示面板在多次弯折后,会出现层间介质层容易断裂,进而导致OLED显示面板失效的问题。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括依次位于衬底基板一面的栅极、层间介质结构和源漏极层,其中,所述层间介质结构为包括有机层间介质层和无机层间介质层的叠层结构,所述有机层间介质层位于所述无机层间介质层的面向所述衬底基板的一面。
在一种可能的实施方式中,所述有机层间介质层的厚度大于所述无机层间介质层的厚度。
在一种可能的实施方式中,还包括位于所述衬底基板与所述栅极之间的栅极绝缘层,以及位于所述衬底基板与所述栅极绝缘层之间的有源层;
所述栅极绝缘层具有开口朝向所述层间介质结构的第一凹槽结构,所述有机层间介质层填充所述第一凹槽结构,所述第一凹槽结构在所述衬底基板的正投影与所述有源层和所述栅极在所述衬底基板的正投影互不交叠。
在一种可能的实施方式中,所述第一凹槽结构贯穿所述栅极绝缘层。
在一种可能的实施方式中,还包括位于所述衬底基板与所述有源层之间的缓冲层,所述缓冲层在与所述第一凹槽结构对应的位置具有开口朝向所述栅极绝缘层的第二凹槽结构,所述有机层间介质层填充所述第二凹槽结构。
在一种可能的实施方式中,所述第二凹槽结构贯穿所述缓冲层。
在一种可能的实施方式中,所述第一凹槽结构呈周期性分布,或者,所述第一凹槽结构呈非周期性分布。
在一种可能的实施方式中,所述第一凹槽结构在所述衬底基板的正投影为正方形、长方形、或圆形。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括如本发明实施例提供的所述阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的