[发明专利]具有沉积器冗余组的有机蒸气喷射印刷头在审
| 申请号: | 201910480174.5 | 申请日: | 2019-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN110620061A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | W·E·奎因;G·麦格劳;G·科塔斯;徐欣;J·J·布朗 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 容春霞 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积器 冗余组 并联连接 排气管线 输送管线 喷射印刷头 微喷嘴阵列 排气孔口 有机蒸气 沉积腔 输送孔 安置 衬底 邻近 室内 申请 | ||
1.一种装置,其包含:
具有独立的沉积器冗余组的微喷嘴阵列,所述沉积器各自包括安置在两个排气孔口之间的输送孔口,所述微喷嘴阵列包括:
第一行的第一冗余组沉积器,其各自并联连接至第一共用输送管线和第一共用排气管线;以及
第二行的第二冗余组沉积器,其各自并联连接至第二共用输送管线和第二共用排气管线,
所述第一行沉积器和所述第二行沉积器独立于彼此操作。
2.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含:
以流体方式耦合至所述第一行沉积器的第一输送管线和第一排气管线;
以流体方式耦合至所述第二行沉积器的第二输送管线和第二排气管线,
其中所述第一输送管线和所述第二输送管线在第一阀处耦合以使来自共用输送管线的输送流在所述第一输送管线与所述第二输送管线之间切换。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一排气管线和所述第二排气管线是使用第二阀连接至共用排气管线,使得来自共用排气管线的排气流在所述第一排气管线与所述第二排气管线之间切换。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一排气管线以流体方式耦合至第一流量控制器,并且所述第二排气管线以流体方式耦合至第二流量控制器,
其中所述第一流量控制器和所述第二流量控制器彼此独立地调节排气流。
5.一种系统,其包含:
具有受控气氛的沉积腔室;
安置在所述沉积腔室内并邻近衬底的印刷头,所述印刷头具有在顶部处带微喷嘴阵列的模具被固持在带端口的夹具内;
安置在所述微喷嘴阵列上的第一冗余组和第二冗余组,
其中所述第一冗余组连接至穿过所述夹具的第一输送管线和第一排气管线,并且所述第二冗余组连接至穿过所述夹具的第二输送管线和第二排气管线,并且
其中来自所述夹具的所述第一输送管线和所述第二输送管线在第一阀处耦合以使来自共用输送管线的输送流在所述第一输送管线与所述第二输送管线之间切换。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述第一排气管线和所述第二排气管线是使用第二阀连接至共用排气管线,使得来自共用排气管线的排气流在所述第一排气管线与所述第二排气管线之间切换。
7.根据权利要求5所述的系统,其中所述第一排气管线以流体方式连接至第一流量控制器,并且所述第二排气管线以流体方式连接至第二流量控制器,
其中所述第一流量控制器和所述第二流量控制器彼此独立地调节排气流。
8.根据权利要求5所述的系统,其中所述第一冗余组包括具有第一孔口区域的至少一个第一沉积器,并且所述第二冗余组包括具有第二孔口区域的至少一个第二沉积器。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述至少一个第一沉积器与所述至少一个第二沉积器叠合。
10.根据权利要求9所述的系统,其中所述至少一个第二沉积器关于垂直于印刷方向的平面与所述至少一个第一沉积器的映像叠合。
11.根据权利要求9所述的系统,其中所述至少一个第一沉积器在绕垂直于衬底表面的轴旋转180°下与所述至少一个第二沉积器叠合。
12.一种系统,其包含:
具有受控气氛的沉积腔室;
安置在所述沉积腔室内并邻近衬底的印刷头,所述印刷头具有在顶部处带微喷嘴阵列的模具被固持在带端口的夹具内;
安置在所述微喷嘴阵列上的第一冗余组的第一沉积器和第二冗余组的第二沉积器,其中第一输送管线向所述第一冗余组馈料并且所述第二输送管线向所述第二冗余组馈料,
其中所述第一输送管线连接至第一升华源,并且所述第二输送管线连接至第二升华源,并且
其中所述第一升华源和所述第二升华源各自具有独立控制的被加热的处理气体的质量流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





