[发明专利]一种发光层结构及显示装置

说明书

本发明公开了一种发光层结构及显示装置，发光层结构包括基板；像素定义层，设于基板上，像素定义层具有像素开口区；以及反射电极，包括第一电荷注入层，设于基板上且位于所述像素开口区，第一电荷注入层为透明结构；金属反射层，设于第一电荷注入层上；第二电荷注入层，设于金属反射层上且部分裸露于像素开口区，第二电荷注入层为透明结构。本发明的有益效果在于本发明的发光层结构及显示装置中，金属反射层的长边方向长于像素开口区的长边方向，在后续的紫外线照射中，在像素开口区的弧形短边处可以进行二次照射，分解弧形短边处有机物残留，提高墨水的舒展性。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种发光层结构及显示装置。

背景技术

有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)以其良好的自发光特性、高对比度、快速响应以及柔性显示等优势，得到了广泛的应用。传统的OLED采用真空蒸镀技术，目前可实现量产化。但是该技术需要采用精细掩模版，导致材料利用率低；另外，对于大尺寸面板，掩模版的制备工艺饱受挑战。近些年，印刷显示技术(喷墨打印，Ink jetprinting，IJP)发展迅速。印刷显示技术是有机发光器件实现大尺寸以及低成本生产的最佳途径。

采用印刷显示技术制备有机发光器件，需要对像素定义层(Bank)以及衬底电极进行修饰，使得墨水能够准确落入像素内，并且无溢流现象发生。因此，喷墨打印关键技术之一是使得像素定义层表面具有一定疏水性，可将墨水ink限制在像素定义层内。像素定义层可使用有机光阻，光阻成分中具有输水性官能团等等；

IJP OLED所采用的基板像素定义层表面为疏水性，采用有机含有疏水性成分的光阻制备图案化的像素定义层，主要采取的制程有曝光和显影，在曝光的过程中会存在阴影影响，可能在透明导电膜表面存在一定的光阻残留；在显影的过程中没有反应的光阻会溶解在显影液中被洗掉，如果没有被充分清洗，透明导电膜表面附着有微量异物；透明导电膜表面残留的异物会造成墨水铺展差，因此器件会出现漏电流等，总之器件特性会变差。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种发光层结构及显示装置，用以解决现有技术中由于像素定义层在曝光和显影过程中，透明导电膜表面存在光阻残留，从而使后续的墨水无法平铺与透明导电膜表面，造成器件出现漏电流的问题。

解决上述问题的技术方案是:一种发光层结构，包括基板；像素定义层，设于所述基板上，所述像素定义层具有像素开口区；以及反射电极，包括第一电荷注入层，设于所述基板上且位于所述像素开口区，所述第一电荷注入层为透明结构；金属反射层，设于所述第一电荷注入层上；第二电荷注入层，设于所述金属反射层上且部分裸露于所述像素开口区，所述第二电荷注入层为透明结构。

进一步的，所述像素开口区为长圆形，在其长度方向，所述像素开口区的两侧为弧形边；所述金属反射层为长圆形，在其长度方向，所述金属反射层的两侧为弧形边；其中，所述金属反射层的两侧均从所述像素开口区的弧形边处延伸至所述像素开口区之外；在垂直于所述像素开口区的长度方向即宽度方向上，所述金属反射层的两侧均在所述像素开口区内且与所述像素开口区之间存在一距离。

进一步的，所述第二电荷注入层在所述基板上的投影与所述第一电荷注入层在所述基板上的投影完全重合。

进一步的，所述金属反射层宽度方向距离占所述像素开口区宽度方向距离的50％～99％。

进一步的，所述第一电荷注入层和所述第二电荷注入层的厚度均为10nm～1000nm。

进一步的，所述金属反射层的厚度为50nm～1000nm；所述第一电荷注入层和所述第二电荷注入层所用材料为透明氧化铟锡。

进一步的，所述像素开口区在所述基板上的投影完全落入所述第一电荷注入层在所述基板上的投影范围内。

进一步的，所述像素定义层的材料为具有疏水性的有机光阻。