[发明专利]一种发光层结构及显示装置有效
申请号: | 201910476162.5 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110246876B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 李文杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 结构 显示装置 | ||
1.一种发光层结构,其特征在于,包括
基板;
像素定义层,设于所述基板上,所述像素定义层具有像素开口区;以及
反射电极,包括
第一电荷注入层,设于所述基板上且位于所述像素开口区,所述第一电荷注入层为透明结构;
金属反射层,设于所述第一电荷注入层上;
第二电荷注入层,设于所述金属反射层上且部分裸露于所述像素开口区,所述第二电荷注入层为透明结构;
所述像素开口区为长圆形,在其长度方向,所述像素开口区的两侧为弧形边;
所述金属反射层为长圆形,在其长度方向,所述金属反射层的两侧为弧形边;其中,所述金属反射层的两侧均从所述像素开口区的弧形边处延伸至所述像素开口区之外;
在垂直于所述像素开口区的长度方向即宽度方向上,所述金属反射层的两侧均在所述像素开口区内且与所述像素开口区之间存在一距离。
2.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述第二电荷注入层在所述基板上的投影与所述第一电荷注入层在所述基板上的投影完全重合。
3.根据权利要求2所述的发光层结构,其特征在于,
所述金属反射层宽度方向距离占所述像素开口区宽度方向距离的50%~99%。
4.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述第一电荷注入层和所述第二电荷注入层的厚度均为10 nm~1000nm;所述第一电荷注入层和所述第二电荷注入层所用材料均为透明氧化铟锡。
5.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述金属反射层的厚度为50 nm~1000nm。
6.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述像素开口区在所述基板上的投影完全落入所述第一电荷注入层在所述基板上的投影范围内。
7.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述像素定义层的材料为具有疏水性的有机光阻。
8.根据权利要求1所述的发光层结构,其特征在于,
所述金属反射层的材料为Al、Ag、Mg合金或者其金属氧化物。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项所述的发光层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的