[发明专利]量子点电致发光器件及制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201910473116.X 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN112018250B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 梅文海;张振琦;张爱迪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;G09F9/33
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 量子 电致发光 器件 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明公开了量子点电致发光器件及制作方法、显示装置。该量子点电致发光器件包括:基板和阴极,阴极设置在基板上;电子传输层,电子传输层设置在阴极远离基板的一侧,电子传输层包括多个像素区;粘结剂层,粘结剂层设置在电子传输层远离阴极的一侧;量子点膜层,量子点膜层设置在粘结剂层远离电子传输层的一侧,量子点膜层和粘结剂层均位于像素区中,其中,粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一,分别与电子传输层以及量子点膜层连接。由此,该量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力,可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题,使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及量子点电致发光器件及制作方法、显示装置。

背景技术

随着消费水平的提升,高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向。目前,高分辨率的AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)产品面临着技术难度高、产品良率低、生产成本高的问题。有机发光显示产品的有机层通常采用掩模蒸发的方法制备,但是掩模蒸发方法存在对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光的缺陷,无法满足目前对高分辨率显示的需求,而采用印刷和打印的方法制备有机层,其得到的显示产品的分辨率也极其有限。随着量子点技术的深入发展,量子点电致发光器件(QLED器件)的研究日益深入,量子效率不断提升,QLED器件可以实现更小面积发光,有利于使显示产品实现更高的分辨率。

然而,目前的QLED器件及制作方法、显示装置仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:

目前,QLED器件存在显示效果较差的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现,这主要是由于目前制作QLED器件的方法存在缺陷导致的。具体的,目前主要通过曝光显影实现量子点膜层的图形化,然而,在显影过程中量子点膜层会有脱落的现象发生,从而影响QLED器件的显示效果。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面,本发明提出了一种量子点电致发光器件。该量子点电致发光器件包括:基板和阴极,所述阴极设置在所述基板上;电子传输层,所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的一侧,所述电子传输层包括多个像素区;粘结剂层,所述粘结剂层设置在所述电子传输层远离所述阴极的一侧;量子点膜层,所述量子点膜层设置在所述粘结剂层远离所述电子传输层的一侧,所述量子点膜层和所述粘结剂层均位于所述像素区中,其中,所述粘结剂层通过化学键以及物理缠绕作用的至少之一,分别与所述电子传输层以及所述量子点膜层连接。由此,该量子点电致发光器件中的粘结剂层能够显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力,可有效缓解制备过程中量子点膜层脱落的问题,使得该量子点电致发光器件具有良好的显示效果。

根据本发明的实施例,构成所述粘结剂层的材料包括硅烷类材料或者亲和素,其中,所述硅烷类材料包括可与所述电子传输层反应的第一官能团,以及可与所述量子点膜层反应的第二官能团,所述第一官能团包括卤原子、羟基、烷基醚键、乙酰氧基、甲氧基、氨基以及亚氨基的至少之一,所述第二官能团包括巯基、氨基、羧基以及甲基的至少之一,所述亲和素含有可与所述电子传输层形成化学键的官能团,以及可与所述量子点膜层形成化学键的官能团。由此,上述材料可以分别与电子传输层以及量子点膜层发生作用,从而显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力,有效缓解量子点膜层的脱落。

根据本发明的实施例,所述亲和素包括相连的生物素以及链霉亲和素,所述链霉亲和素含有羟基、氨基,所述生物素含有硫原子、氮原子以及羧基。由此,亲和素中的上述官能团或者杂原子可以分别与电子传输层以及量子点膜层形成化学键,从而显著增加量子点膜层与电子传输层之间的粘附力,有效缓解量子点膜层的脱落。

根据本发明的实施例,所述硅烷类材料中,主链上原子的个数小于7。由此,不会对量子点电致发光器件造成负面影响。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910473116.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top