[发明专利]一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺

说明书

本发明提供了一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，包括如下步骤：步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。本发明所述的通过改善抛光过程中的粗抛光的工艺参数来平衡机械作用及化学作用，改善抛光片表面平整度，相对于现有工艺，可以降低抛光产品的TTV、TIR、STIR及TAPER。

技术领域

本发明属于硅片抛光技术领域，尤其是涉及一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺。

背景技术

硅片抛光加工过程中，平整度是非常重要的参数，也是抛光过程中较难优化的参数。硅片的抛光是将酸腐蚀或者碱腐蚀后的硅片表面，通过化学作用的腐蚀以及机械作用的研磨得到光滑平整的表面。随着半导体特征尺寸的减小以及集成度的提高，对硅片表面的的平整度要求越来越高，原有的抛光工艺满足不了较高的平整度的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，以解决原有的抛光工艺平整度不高的问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，包括如下步骤：

步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；

步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；

步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。

进一步的，所述粗抛光机的抛光头压力为250±100KPa，大盘转速为30转/min，中心导轮转速为60转/min，抛光液流量为10±1L/min。

进一步的，所述抛光液温度为20±3℃、抛光垫温度为＜35℃。

相对于现有技术，本发明所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺具有以下优势：

本发明所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，通过改善抛光过程中的粗抛光的工艺参数如：增大压力、提高转速、提高抛光液流量及控制抛光液及抛光垫温度，来平衡机械作用及化学作用，改善抛光片表面平整度，相对于现有工艺，可以降低抛光产品的TTV、TIR、STIR及TAPER。

具体实施方式

除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本发明所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。

下面结合实施例来详细说明本发明。

实施例1

原料：8寸轻掺酸腐片200片；

要求：抛光后厚度为725±15，TTV要求4μm，TIR要求3μm，STIR(25*25)要求0.5μm；

加工设备：SPM-23抛光机，SCC预清洗机；

测量工具：ADE9600；

辅料：抛光蜡KW-20163，粗抛液6504，中抛液及精抛液3105，粗抛垫SUBA800，中抛垫SUBA400，精抛垫7355-000FE，去蜡剂，氨水，双氧水；

具体操作过程：