[发明专利]一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺在审
| 申请号： | 201910452468.7 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110281082A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王广勇;金文明;李星;石明;张琪;韩鹏飞;褚鑫;王聚安;吕莹;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光蜡 平整度 陶瓷盘 高平整度 硅片表面 抛光工艺 粗抛光 冷却 抛光片表面 测试表面 化学作用 抛光产品 抛光过程 平衡机械 精抛光 抛光 烘烤 平整 测试 | ||
【权利要求书】：
1.一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：测试硅片表面平整度前值，然后将硅片表面涂抛光蜡，之后将抛光蜡甩匀，对抛光蜡进行烘烤使蜡具有粘性，后将涂有抛光蜡的一面贴在高温的陶瓷盘上，待贴满硅片的陶瓷盘冷却；
步骤二：对于冷却的陶瓷盘进行粗抛光、中抛光及精抛光，得到光亮平整的硅片；
步骤三：将步骤二得到的硅片铲下后进行ADE9600测试表面平整度。
2.根据权利要求1所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：粗抛光机的抛光头压力为250±100KPa，大盘转速为30转/min，中心导轮转速为60转/min，抛光液流量为10±1L/min。
3.根据权利要求2所述的高平整度8英寸硅片的抛光工艺，其特征在于：抛光液温度为20±3℃、抛光垫温度为＜35℃。
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