[发明专利]一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法在审
申请号: | 201910403301.1 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110066187A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 吴甲民;邱禹迪;陈颖;刘荣臻;李国锐;史玉升;文世峰;李晨辉;王卫 | 申请(专利权)人: | 浙江华科三维科技有限公司;华中科技大学 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64;C04B38/00 |
代理公司: | 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 | 代理人: | 李锋 |
地址: | 325000 浙江省温州市瓯海经济开发区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化硅陶瓷粉末 多孔氮化硅陶瓷 氮化硅陶瓷 复杂形状 烧结 烘干 粉体 素坯 制造 润湿 粉体表面处理 不连续液滴 低温粘结剂 分散剂组成 高温粘接剂 成形区域 球磨粉碎 烧结工艺 烧结助剂 粘接区域 溶剂 成液 粉床 粉缸 过筛 能场 铺粉 溶质 液滴 粘接 粘结 装入 选区 激光 纤维 | ||
1.一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,该方法具有以下工艺步骤:
a、对α相氮化硅陶瓷粉末进行球磨粉碎、粉体烘干、粉体表面处理及粉体过筛;
b、以水为溶剂及以纤维、低温粘结剂、高温粘接剂、烧结助剂和分散剂组成的溶质混合组成成液相B,并装入喷挤装置;
c、将步骤a中处理后的α相氮化硅陶瓷粉末铺入环境压力可调的粉缸内;
d、在α相氮化硅陶瓷粉末铺叠平整后,利用喷挤装置将液相B喷为不连续液滴,液滴落在粉床将区域内的α相氮化硅陶瓷粉末润湿后粘接;
e、随后利用定向能场对已粘接区域瞬时烘干;
f、在铺粉平面所要成形区域均完成粘结后,利用激光选区烧结工艺将该区域进行烧结得到氮化硅陶瓷素坯;
g、将素坯进行烧结得到氮化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,所述的粘接助剂为磷酸铝或磷酸二氢铝或磷酸硼等磷酸盐中的一种,配制的摩尔浓度为5~10Mol%。
3.根据权利要求1所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,所述的烧结助剂为氧化钇或氧化镁中的一种或几种,加入质量为氮化硅原粉质量的2%~5%。
4.根据权利要求1所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,所述的纤维为碳化硅晶须,具体参数为直径为0.1~1微米、长度为10~50微米的β相碳化硅晶须,加入质量为氮化硅原粉质量的5%~15%。
5.根据权利要求1所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,所述的分散剂为乙醇或丙酮,加入质量为磷酸盐质量的5%。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,用于喷挤液相B的喷挤装置的输送参数设置为:输送流量为0.1~5ml/s,扫描速度为100~1500mm/s,扫描间距为0.1~3mm。
7.根据权利要求6所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,用于烘干液相B的定向能场的参数为:能场发射的播为用于干燥的L段微波,频率为890~940MHz,中心波长0.330m;S段微波,频率为2400~2500MHz,中心波长为0.122m;C段微波,频率为5725~5875MHz,中心波长为0.052m;K段微波,频率为22000~22250MHz,中心波长0.008m中的一种,作用范围为整个工作平面,作用时间为10~60s。
8.根据权利要求7所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,步骤e及步骤f中烧结条件为高氮气压力气氛,加热速度为5~10℃/min,最高温度为1400~1800℃,保温至少2h后随炉冷却。
9.根据权利要求8所述的一种复杂形状多孔氮化硅陶瓷的增材制造方法,其特征在于,用于激光选区烧结的激光器的工作参数为:扫描功率为扫描功率为5~40W,扫描速度为400~3000mm/s,扫描间距为0.05~1.5mm。
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