[发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制擦除性能的方法和装置。所述方法包括：接收擦除操作指令，根据擦除操作指令，对存储单元执行第一次擦除验证操作，记录第一次擦除验证通过的存储单元的地址，根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，对第一次擦除验证未通过的存储单元执行擦除加压操作。本发明首先执行擦除验证操作，记录该次擦除验证通过的存储单元的地址，并对该次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，执行擦除保护操作的前提是提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元全都通过第一次擦除验证。本发明的方案不会对已通过验证的存储单元过深的擦除，同时减少擦除操作循环次数，提高Nand flash存储器可靠性和使用寿命。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制擦除性能的方法和装置。

背景技术

现有的Nand flash存储器执行擦除操作，是按照一个块(block)为单位执行的，而按照一个block来执行擦除时，整个block中所有存储单元的字线(wl)都是一起进行擦除操作的，而在执行一次擦除加压操作后，其中会有一部分wl上的存储单元成功，而另一部分wl上的存储单元擦除可能不成功，那么就需要继续执行下一次擦除加压操作。这样就产生一个问题，即使其中有一部分wl上的所有存储单元都已经达到目标阈值(即已经擦除成功)，对同一个block里的那些还没达到目标阈值的wl上的存储单元执行下一次擦除加压操作时，会对已经达到目标阈值的wl上的存储单元继续做擦除加压操作，这样就会使该部分wl上的存储单元被擦除的比较深，并且会额外的增加该部分存储单元的擦除操作循环次数，而存储单元承受擦除操作的循环次数是有上限的，若是超过上限，则该存储单元就不可以再使用，从而导致Nand flash存储器可靠性降低，使用寿命减少。

发明内容

本发明提供一种控制擦除性能的方法和装置，解决了擦除操作时，对同一个block中擦除不成功的wl上的存储单元，再一次执行擦除加压操作时，需要再次对已经擦除成功的wl上的存储单元执行擦除加压操作，导致已经擦除成功的wl上的存储单元会被擦除的较深，并且增加其擦除操作循环次数的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制擦除性能的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：

接收擦除操作指令，所述擦除操作指令包括：所需擦除的所述存储单元的地址；

根据所述擦除操作指令，对所述存储单元执行第一次擦除验证操作；

记录第一次擦除验证通过的存储单元的地址；

根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作；

对第一次擦除验证未通过的存储单元执行擦除加压操作。

可选地，所述Nand flash存储器还包括：电荷泵，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，包括：

若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元均通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均执行所述擦除保护操作；

所述方法还包括：

若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元中有部分存储单元未通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均不执行所述擦除保护操作，以及，对该电荷泵对应的全部存储单元执行所述擦除加压操作。

可选地，根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，包括：

确定第一次擦除验证通过的存储单元的字线地址；

根据所述字线地址，提高对应于所述字线地址的存储单元的栅极电压。

可选地，根据所述擦除操作指令，对所述存储单元执行第一次擦除验证操作，包括：