[发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置

权利要求书

1.一种控制擦除性能的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：

接收擦除操作指令，所述擦除操作指令包括：所需擦除的所述存储单元的地址；

根据所述擦除操作指令，对所述存储单元执行第一次擦除验证操作；

记录第一次擦除验证通过的存储单元的地址；

根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作；

对第一次擦除验证未通过的存储单元执行擦除加压操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Nand flash存储器还包括：电荷泵，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，包括：

若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元均通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均执行所述擦除保护操作；

所述方法还包括：

若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元中有部分存储单元未通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均不执行所述擦除保护操作，以及，对该电荷泵对应的全部存储单元执行所述擦除加压操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，包括：

确定第一次擦除验证通过的存储单元的字线地址；

根据所述字线地址，提高对应于所述字线地址的存储单元的栅极电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述擦除操作指令，对所述存储单元执行第一次擦除验证操作，包括：

根据所述擦除操作指令，以二分之一个块为单位，对二分之一个块包括的多个所述存储单元执行第一次擦除验证操作；

根据所述擦除操作指令，以四分之一个块为单位，对四分之一个块包括的多个所述存储单元执行第一次擦除验证操作；

根据所述擦除操作指令，以单个字线为单位，对单个字线包括的多个所述存储单元执行第一次擦除验证操作。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在对该电荷泵对应的全部存储单元中未通过第一次擦除验证的存储单元执行所述擦除加压操作之后，所述方法还包括：

对该电荷泵对应的全部存储单元执行第二次擦除验证操作；

若该电荷泵对应的全部存储单元均通过第二次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均执行所述擦除保护操作；

若该电荷泵对应的全部存储单元中有部分存储单元未通过第二次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均不执行所述擦除保护操作，以及，对该电荷泵对应的全部存储单元再次执行所述擦除加压操作。

6.一种控制擦除性能的装置，其特征在于，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：存储单元，所述装置包括：

接收指令模块，用于接收擦除操作指令，所述擦除操作指令包括：所需擦除的所述存储单元的地址；

验证模块，用于根据所述擦除操作指令，对所述存储单元执行第一次擦除验证操作；

记录模块，用于记录第一次擦除验证通过的存储单元的地址；

执行保护模块，用于根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作；

加压模块，用于对第一次擦除验证未通过的存储单元执行擦除加压操作。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述Nand flash存储器还包括：电荷泵，执行保护模块包括：

保护子模块，用于若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元均通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均执行所述擦除保护操作；

所述装置还包括：

部分加压模块，用于若提供同一等级字线电压的电荷泵对应的全部存储单元中有部分存储单元未通过第一次擦除验证，则对该电荷泵对应的全部存储单元均不执行所述擦除保护操作，以及，对该电荷泵对应的全部存储单元执行所述擦除加压操作。