[发明专利]光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置有效
| 申请号: | 201910381701.7 | 申请日: | 2019-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN110824854B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 施柏铭;廖啟宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光微影 方法 处理 工件 装置 | ||
本揭示揭露一种光微影方法、晶圆处理方法及工件固持装置。根据本揭示的一些实施例提供一种用于将主光罩附着到夹盘的顶表面上的方法。该方法包括使夹盘的顶表面上的多个纤维与主光罩接触。主光罩相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动以增加在纤维与主光罩之间的接触面积,使得主光罩附着到纤维。
技术领域
本揭示有关于一种光微影方法、一种晶圆处理方法及一种工件固持装置。
背景技术
在半导体集成电路(IC)工业中,IC材料及设计的技术进展已经产生数代IC,其中与前代相比,每代具有更小且更复杂的电路。在IC发展过程中,功能密度(亦即,单位晶片面积互连元件的数量)已大致增加而几何尺寸(亦即,可使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此按比例缩小过程大体通过增加生产效率并降低相关成本来提供益处。此种按比例缩小亦增加了IC处理及制造的复杂性。
光微影制程形成图案化的光阻层,用于各种图案化制程,诸如蚀刻或离子植入。可通过此种光微影制程图案化的最小特征尺寸受到投影辐射源的波长的限制。光微影机器已经从使用具有365纳米波长的紫外光进展到使用深紫外线(DUV)光,包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)及193纳米的氟化氩激光(ArF激光),并且进展到使用13.5纳米波长的极紫外线(EUV)光,从而在每一个步骤改进解析度。
发明内容
顶表面上的多个纤维与主光罩接触;以及相对于夹盘的顶表面沿着第一方向滑动主光罩,以增加在纤维与主光罩之间的接触面积,使得主光罩附着到纤维。
根据本揭示的一些实施方式,一种晶圆处理方法包含:使晶圆固持器的顶表面上的多个纤维与晶圆接触;以及相对于晶圆沿着第一方向滑动晶圆固持器以相对于晶圆固持器的顶表面倾斜纤维,使得晶圆附着到纤维。
根据本揭示的一些实施方式,一种工件固持装置包含工件固持元件以及多个可弯曲纤维。可弯曲纤维在工件固持元件的顶表面上。
附图说明
当结合随附附图阅读时,自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意,根据工业中的标准实务,各个特征并非按比例绘制。事实上,出于论述清晰的目的,可任意增加或减小各个特征的尺寸。
图1是示出根据本揭示的一些实施例的光微影方法的流程图;
图2示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置的横截面图;
图3示出根据本揭示的一些实施例的光微影装置的主光罩夹盘的俯视图;
图4示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的主光罩夹盘的横截面图;
图5示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的俯视图;
图6直至图8示出根据本揭示的一些实施例的操作光微影装置的中间阶段的横截面图;
图9示出根据本揭示的一些实施例的图4中的粘接层的一个纤维的横截面图;
图10示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的主光罩夹盘的横截面图;
图11是示出根据本揭示的一些实施例的晶圆处理方法的流程图;
图12示出根据本揭示的一些实施例的其上具有晶圆的晶圆处理器的俯视图;
图13示出根据本揭示的一些实施例的晶圆处理器的横截面图;
图14示出根据本揭示的一些实施例的其上具有粘接层的晶圆固持器的横截面图;
图15直至图16示出根据本揭示的一些实施例的操作晶圆处理器的中间阶段的横截面图。
【符号说明】
100:光微影装置
110:主光罩夹盘
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